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低能离子束方法制备重掺杂Fe 的Si∶Fe 固溶体3 - 中国科学院力学 ...
第 25 卷第 8 期 半 导 体 学 报 . 25, . 8
V o l N o
2004 年 8 月 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S A u g. , 2004
低能离子束方法制备重掺杂 的 ∶ 固溶体
Fe Si Fe
1 1, 2 1 1 1 1 1
刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯
( 1 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室, 北京 100083)
(2 中国科学院力学研究所 国家微重力实验室, 北京 100080)
摘要: 利用质量分离的低能离子束方法, 以离子能量为 1000 , 剂量为 3 ×1017 - 2 , 室温下往 型 ( )
eV cm p Si 111 单晶衬
底注入 F e 离子, 注入的样品在 400 ℃真空下进行热处理. 俄歇电子能谱法(A E S) 对原位注入样品深度分析表明F e
离子浅注入到p 型 Si 单晶衬底, 注入深度约为 42nm. X 射线衍射法(XRD ) 对热处理样品结构分析发现只有 Si 衬
底的衍射峰, 没有其他新相. 射线光电子能谱法( ) 对热处理样品表面分析发现 2 束缚能对应于单质 的
X X P S F e p F e
峰, 没有形成 的硅化物. 这些结果表明重掺杂 的 ∶ 固溶体被制备. 电化学 法测量了热处理后样品
F e F e Si F e C V
载流子浓度随深度的分布, 发现 重掺杂 致使 的导电类型从 型转为 型, ∶ 固溶体和 衬底形成
F e Si Si p n Si F e Si p n
结, 具有整流特性.
关键词: 硅; 铁; 低能离子束; 重掺杂
: 8115 ; 7340 ; 6 170
PACC J L T
中图分类号: TN 304 7 文献标识码: A 文章编号: 02534 177 (2004)
固相反应扩散然后利用离子溅射去除硅化物层的方
1 引言
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