图 1 ： 晶振误差 — 负载电容(及 22 pF 匹配的晶振).pdfVIP

AN1155 时钟晶振的实时校准 导致晶振源中振荡器误差的最常见因素如下： 作者： Kantesh Kudapali Microchip Technology Inc. • 机械振动 • 负载电容 引言 • 温度 • 老化 精度接近 20 ppm 的32.768 kHz 晶振常用于时钟和计时 为了最小化晶振误差，应避免机械振动。如果可能，我 应用，但 20 ppm 对应着 ±0.65536 Hz 的频率偏移，或 们应使所有振动源远离晶振。潜在的振动源包括蜂鸣 者说每月51.8 秒的巨大误差。这种误差仅与晶振的个体 器、扬声器、电机，等等。 差异有关。其他重要的误差源包括温度、老化、元件选 择及布线。 要使谐振发生在正确的频率，晶振应加载其规定的负载 电容，即与晶振单元一道使用的电容值。负载电容是晶 在本应用笔记中，我们将讨论与低成本时钟晶振——用 振制造商规定的参数，通常以 pF 为单位。匹配不当的 在实时时钟及日历（Real-Time Clock and Calendar， RTCC）应用中 —— 关联的误差以及克服这些误差的方 负载电容可能导致高达 400 ppm 的误差，如图 1 所示。 重要的是要考虑由于 PCB 走线和晶振的其他引线所引 法。我们还将讨论在 Microchip 实时时钟及日历电路中独 起的寄生电容。确定最优电容值不在本应用笔记的讨论 特的内置校准功能，它将在运行时最小化这些关联的误 差。 范围之内，不过，更多信息可见 Microchip 网站 （ ）上的AN826 “Crystal Oscillator Basics and Crystal Selection for rfPIC™ and PICmicro® 晶振误差源 Devices ”、AN849 “Basic PICmicro® Oscillator Design ”、AN943 “Practical PICmicro® Oscillator 横向切割（X-Cut ）晶振是在 （RTCC）电路中最经常 Analysis and Design ” 以及 AN949 “Making Your 使用的类型。这类晶振并不昂贵，容易获得，同时还具