台湾联合大学系统奈米科技研究中心 - 奈材中心 - 国立清华大学.DOC

國立清華大學系統 奈微與材料科技中心 TMAH非等向性化學蝕刻槽 機台管理者：郭文鳳（實驗室:工三館228室；分機:42292） 中 華 民 國 101年1 月17 日 用途： 使用TMAH －（CH3）4NHO溶液在80℃加熱循環，以達到蝕刻Si的目的。 適用範圍： （1）6 吋蝕刻槽：4 吋蝕刻槽：可接受金屬/非金屬之每個Run最多片waferCr、Mo、Zr、TiN、Ti、Ni、Pt、AuSi3N4 使用設備： 禾邑 HIM-89021 圖D ALARM畫面顯示，如圖E 圖E 操作步驟： 檢查、填寫操作記錄簿，刷卡開啟電源。確認機台抽氣(10mm)。 將QDR注水，如圖6。 檢查window、filter下是否有溶液洩漏，若有洩漏通知機台負責人，不可繼續使用。 檢查溶液是否足夠，要高於槽內噴頭才可使用。 加熱循環，約30分可達設定溫度（80℃），如圖6。 升至80℃設定溫度後，計時測試pump運轉速率為約80次/min（不可60次/min）。 限用TMAH專用Boat。（使用前須清洗） 先停止「循環加熱」將Boat放入槽內，關閉槽蓋後再啟動「循環加熱」。 Etching時請將外蓋拉下，並每小時查看有無異常。 Etching完畢先關閉循環加熱再小心打開槽蓋，取出Boat放入QDR清洗槽中直到水阻值超過13M-cm（如圖7）才可取出（約5?10min）。 使用後處理： 在4小時內有其他使用者使用，執行「循環」保持溶液潔淨，填寫紀錄簿勿刷卡，若無其他使用者至步驟【2】。 執行「循環」使溶液冷卻至50℃以下（約40分鐘），才可關機刷卡並填寫操作記錄簿。。 使用限制： ＜循環＞與＜循環加熱＞啟動時，禁止開啟槽蓋。 禁止調整循環流量閥。 禁止任意調整工作溫度。 QDR水槽在實驗中須隨時保持滿水狀態，以利使用。 圖1 圖2 圖3 圖4  圖5 圖6 圖7 CDA N2 N2控制鈕 排水鈕 水槽上給水 水槽下給水