基于MEMS 技术新型硅磁敏三极管负阻2振荡特性3 - Journal of ....PDF

第 26 卷 　第 6 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 6 2005 年 6 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J une ,2005 基于 MEMS 技术新型硅磁敏三极管负阻振荡特性 赵晓锋 　温殿忠 ( 黑龙江大学集成电路重点实验室 , 哈尔滨 　150080) 摘要 : 介绍了一种新型硅磁电负阻振荡器件 ———S 型负阻振荡硅磁敏三极管. 该器件是基于 M EM S 技术在 p 型 高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件 ,采用 KO H 各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制 作. 实验结果表明 ,集电极电流随外加磁场的变化而变化 ;在基极注入电流一定时 ,出现集电极电流受外加偏压 VCE 调制的负阻振荡特性 ,且集电极电流振荡随外加磁场而变化. 对该器件负阻振荡特性的形成机理进行了讨论 ,结 + + π π π结均处于反偏条件下 , 当 π区满足雪崩倍增效应产生的条件 果表明 ,在集电区 n 结和基区与 区形成的p 时 ,该磁敏三极管伏安特性曲线中的 V + 偏压相对应的基极注入条件下的集电极电流出现 S 型负阻振荡特性. p π + + π π 在发射极和基极间的 n 结和 p 结附近存在的大量深能级杂质将对负阻振荡特性进行调制. 关键词 : M EM S ; S 型负阻振荡特性 ; 硅磁敏三极管 ; 雪崩倍增效应 PACC : 07 10C ; 0670M 　　　EEACC : 2575 F ; 3 120W 中图分类号 : TN 322 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 0612 1404 负阻振荡特性的形成机理. 1 　引言 2 　新型硅磁敏三极管基本结构和制作 ( ) 工艺 从 1952 年埃伯斯 Eber s 提出负阻器件至今已 经有五十多年历史. 在这段时间 , 负阻器件不断发 [ 1 ] 2 . 1 　硅磁敏三极管基本结构 展 ,尤其近年来 ,硅光电负阻器件 、高频硅光电负 [2 ] π ( 阻器件 等各式各样的负阻器件相继出现 ,并在光 图 1 给出了采用 M EM S 技术在 型 即弱 p ρ Ω ) 控领域得到了广泛地应用. 型、电阻率 ≥100 ·cm 的高阻单晶硅片表面制 对于磁敏器件来说 ,二十世纪七十年代出现了 作具有矩形板状立体结构的 n + p n + 型硅磁敏三极 硅磁敏二极管的 S 型负阻现象[ 3 ] ,并由俄罗斯传感 管的基本结构示意图. 要实现这种立体结构 ,必