太阳光电工程.PDF

太陽 光電 工程 期 末報 告 授課老師：林克默 學 生：陳毓夫 學 號： M9910105 太陽能晶片製程 EL(Electroluminescence)量測 EL為電致發光，是指電流通過物質時或物質處於強電場下發光的現象 ，透 過發光現象來檢查太陽能晶片是否有缺陷。 (EL量測 系統) EL量測分為下列三階段： 1. 裸片量測：晶片未銲接前，先檢查晶片是否有缺陷，避免模組效率降低。 (裸片的放置 ) (裸片 EL) 裸片已有部分缺陷，主要缺陷來自於晶片的切割。 2. 銲接後之量測：晶片經過銲接之後，再次檢查晶片是否因為銲接製程而造成 缺陷，可以確保模組之效率。 (銲接過後的 EL) 銲接過後，依照裸片時的 EL 比對，晶片的缺陷沒有增加。 3. 封裝模組之量測：封裝環境約130度以及真空壓力，為了確保模組出貨之品 質，經過此製程後仍然需要量測。 (封裝過後的EL) (表面有明顯的氣泡) 比對銲接完之EL ，看得出亮度明顯較暗，由於封裝過程中真空壓力不足， 導致EVA的氣泡無法完全排除。 太陽能晶片銲接 首先將串銲機開機預熱，將銲接平板復歸校正及定位，確認頂針位置及調 整，設定熱風口溫度為 400度，銲接平板溫度 150度。 串銲機示意圖( ) (頂針定位熱風口位置) 銲接前銲條裁剪適當大小，將銲條泡入助銲劑中，而後放置於晶片上並調整 位置 。建議先銲接晶片背面，由於銲接平板溫度約150度，如先銲接正面當翻轉 銲接背面時，怕平板溫度導致銲條熔融，使表面不平整。銲接時間約兩秒，停置 時間約三秒，這樣即完成銲接，而後照 EL檢查銲接是否有缺陷。 太陽能晶片封裝 當晶片銲接完並照 EL後，即可將晶片封裝。封裝前準備好EVA兩片(一薄一 厚 ) 、底板(tedlar)一片、PC膜一片，依照順序往上疊：底板→ EVA(薄)→晶片 →EVA(厚 )→PC膜，將之固定即可放入封裝機內。 (EVA) (PC膜 ) (依上述步驟完成之圖示 ) (置於玻璃板上進入封裝機 ) (封裝機圖示) (封裝機操作面板) (封裝機紅外線防護裝置) 模組成品完成 (封裝完成品) 由於真空壓力不足造成氣泡產生( ) IV曲線量測 從裸片至串銲，而後經封裝機壓合完成，接著就是用太陽光模擬器量測 IV 曲線，來量測晶片的效率、開路電壓、短路電流 …等數據。 (太陽模擬器) 一開始先將模擬器校正，取標準試片將模擬器data補正，而後放置封裝完 之晶片量 IV曲線。 (IV曲線圖 ) data Vpmax 0.39616 V Ipmax 4