斜阳军 - 中国科学院上海技术物理研究所联合编辑部.PDFVIP

411- 斗 lb 412— J6 Vo1．15，No．6 飞01. 15. No.6 红外与毫米1皮学报 第 l5 卷第 6 期 第l5卷第 6期 红 外 与毫 米波 学 报 1996年l2月 December，1996 1996 年 l2 月 J．Infrared Millim．Waves December .1996 J. Infrared Millim. Waves Hg - Cd Te 的扫描光致发光研究 x x l-Igl--xCd Te的扫描光致发光研究 1 常 勇 褚君浩、I唐文国 沈文忠 茅文英 汤定元 常重祷君浩飞唐文屋就文患茅文英萄主元 〔中国科学院上海技术物理研究新红外物理国家重点实验室，上海.20∞吕 (中 j E 磊 研究所红外物理国家重点实验室．上海，2ooo83) 酒辞里叶变换重工挎扫结圭致发竟 Ii 法研究T Hg.- ,Cd.Te 体草品样品，该7J法可直接得 ／6 蔓用博里叶变换缸外扫描光致发光方法研究T Hg—cd T 体单品样品，该方法可直接得 到 HgCdTe 晶片生量分约二维平面分事.ji 可得到轻射复合在复告机锅中新占比重隐平岳王董事‘ 到HgCdTe晶片蛆分的二维平面分布．井可得到辐射复告在复合机制中所占比重的平面分布， ~要 以及晶体中非平赛最草鞋子寿命的耸布， 美鲁量调 光致发克.Hg._Âd，Te. 寿命. T N.l ó 4, 26 J起草 引言 !J472.3 斜阳军 Hg， _zCc:lzTe 光电器件，尤其是焦于图器件制造王艺的发展，付材料的检测手段提出了 Hg。…Cd Te光电器件．尤其是焦下面器件制造工艺的发展，耐材料的检测手段提出了 越来越高的要求，不但要求检测总体性质，而且对各微区豹性质及分布也要迅速准确地加以 越来越高的要求，不但要求检测总体性质，而且对各微区的性质及分布也要迅速准确地加以 评价.为此，已建立了多种有关的检测手段口-.]但这是主测量手段都必须在样品上制备电援， 评价．为此，已建立了多种有关的检测手段 ]，但这些测量手段都必须在样品上制备电极， 这样就在一定程度上影响了这些技术的很广泛使用. 这样就在一定程度上影响了这些技术的很广泛使用． 尽管光致发光平面扫描技术因其方便易行、非破坏性和非接触注早已在其它半导体材 尽管光致发光平面扫描技术因其方便易行、非破坏性和非接触性早已在其它半导体材 料的性能撞测与工艺控制研究等方面得到了广泛的应用巳]但是对于Hg，_Xd，Te 来说.由 料的性能检测与工艺控制研究等方面得到了广泛的应用 ，但是对于Hg 一 CA e来说，由 于它的禁带宽度较窄，光生非平衡载流子辐射复合占的比重较小，而且，在中波红外以上区 于它的禁带宽度较窄，光生非平事每载流子辐射复合占的比重较小，而且，在中披红外