新型铜互连方法电化学机械抛光技术研究进展.PDFVIP

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２００９０６００１ 新型铜互连方法 ———电化学机械抛光技术研究进展 许旺张楷亮杨保和 ， ， （天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室，天津 ） ３００３８４ ： （ ） 摘要多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光 技术带来了 ＣＭＰ 巨大的挑战，低介质的脆弱性难以承受传统 技术所施加的机械力。一种结合了电化学和 ｋ ＣＭＰ 机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺 电化学机械抛光 应运而生 在很低的压 ——— （ ） ， ＥＣＭＰ ＥＣＭＰ 力下实现了对铜的平坦化，解决了多孔低介电常数介质的平坦化问题，被誉为未来半导体平坦化 技术的发展趋势之一主要综述了电化学机械抛光技术的产生原理研究进展和展望对铜的 。 、 、 ， ＥＣＭＰ技术进行了回顾和讨论。 ： ； ； ； ； ； 关键词化学机械抛光铜互连低介电常数电化学机械抛光平坦化技术多孔 中图分类号： ， 文献标识码 文章编号： ： （ ） ＴＮ３０５２ ＴＮ４７ Ａ １００３３５３Ｘ ２００９ ０６０５２１０４ ——— Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ ＥＣＭＰ Ｎｏｖｅｌ Ｃｏｐｐｅｒ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ ， ， Ｘｕ Ｗａｎｇ Ｚｈａｎｇ Ｋａｉｌｉａｎｇ Ｙａｎｇ Ｂａｏｈｅ （ ， Ｔｉａｎｊｉｎ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｆｉｌｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｎｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ａｎｄ ， ， ， ） Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｔｉａｎｊｉｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｔｉａｎｊｉｎ ３００３８４ Ｃｈｉｎａ ： ， Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｔｈｅ ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ｐｏｒｏｕｓ ｌｏｗｋ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｉｎｔｏ Ｓｉｂａｓｅｄ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｄｅｖｉｃｅｓ ｐｒｏｖｉｄｅｓ ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌ ｃｈａｌｌｅｎｇｅｓｆｏｒ ＣＭＰ． Ｔｈｅｓｅ ｃｈａｌｌｅｎｇｅｓａｒｉｓｅ ｐｒｉｍａｒｉｌｙ ｆｒｏｍｔｈｅ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｆｒａｇｉｌｉｔｙ ｏｆ ｓｕｃｈ