氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性-发光学报.PDFVIP

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2017-06-15 发布于天津
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氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性-发光学报

25 1 Vol25 No. 1 2004 2 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Feb. , 2004 : 1000-7032(2004) 01-0077-04 氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性陈松岩, 谢生, 何国荣, 刘宝林, 蔡加法, 陈丽荣, 黄美纯 ( , 361005) : ( PS) , , (PL) (AFM) PS , PL PL , 420~ 450 PL ( 3. 24 eV, 382 nm) , : (PS) ; ; ; ; : O48231 : A , 1 引言 Si Si , Si OSi ( PS) 2 实验 , 10 cm, , PS 300 m, 15 cm 15 cm p , , , SiO , , V(HF) V( C2H5OH) = 2 [ 1~ 6] [ 6] 2 PS 12 , 150 mA/ cm (RTO) [ 7~ 10] 2 minP. G pta[ 12] , , 100~ 450 15~ 30 min , , (PL) ( = 337 nm, , ( 880~ 1 100 ) W= 0. 1 mJcm- 2, = 10 ns) , PS 350~ 850 nm, [ 6] 50 ns L.Tsybeskov 2. 6 eV PL , Yoshihiko Kanemits [ 10] [ 11] 3 结果与讨论 ,Lin J n 370 nm PS AFM ( AFM) PS , , PS , PS PS , , , PS AFM , 1( a) , ( b) , ( c) ( 1) 2 ( 150 mA/ 1( a) 150 mA/ cm , 2 cm ) , ( 100~ 450 , ) 2 min PS AFM , , , , , 50 nm : 2003-01-06; : 2003-05-29 : ( ; ( A0110006