电子学第四、五.DOCVIP

君毅高級中學九十四學度第一學期第一次段考資訊科四技二專班三年級電子學試卷（一） 日期：94-10-14 範圍：第四、五、六章 命題老師：周世平 班級：______座號：____姓名：_______ 一、單選題　(50題 每題?分 共100分) ( )01.下列何者最適合用在低功率的積體電路中？ (A)BJT (B)JFET (C)VFET (D)CMOS。　 ( )02.如圖（一）所示電路，假設N通道MOSFET電晶體工作點之ID＝0.6mA，臨界(Threshold)電壓VT＝lV，電容值視為無窮大，試求其小訊號電壓增益為何？ (A)－10 (B)－8 (C)－6 (D)－4。 （圖一） （圖二） （圖三） ( )03.下列有關雙極性電晶體三種基本放大器間比較之敘述何者不正確？ (A)共集極之輸入阻抗最高 (B)共射極之功率增益最高 (C)共基極之輸出阻抗最低 (D)共射極為反相放大。　 ( )04.下列對電晶體工作在飽和區時之敘述，何者正確？ (A)基極與射極接面逆偏，基極與集極接面逆偏 (B)基極與射極接面順偏，基極與集極接面逆偏 (C)基極與射極接面逆偏，基極與集極接面順偏 (D)基極與射極接面順偏，基極與集極接面順偏。　 ( )05.如圖（二）電路中電晶體Q作為開關使用，其電容CB及電阻R的主要功能為(A)縮短電晶體的切換過程時間 (B)延長電晶體的切換過程時間 (C)提高電晶體導通時電流 (D)降低電晶體導通時電流。 ( )06.下列有關圖（三） 所示電路的敘述，何者正確？ (A)為共集極放大電路 (B)電流增益小於1 (C)C3為一傍路(Bypass)電容，用來提高電壓增益 (D)增加負載RL會降低電壓增益。 ( )07.下列何者為N通道接面場效電晶體(JFET)的電路符號？ ( )08.右列何者為正確的增強型PMOS電晶體特性曲線？ ( )09.如圖（四） 所示之電路，在VGS=0時，測出的IDS=10mA，當VGS增至－5V時，IDS=0，求此JFET在VGS=－2V時的IDS值為多少mA？ (A)6.4 (B)3.6 (C)1.8 (D)0.9 mA。 （圖四） （圖五） （圖六） ( )10.如圖（五）所示，若場效應電晶體之汲、源間內電阻rds=30kΩ，gm=2mS，則此電路之電壓增益（在低頻時）為若干？ (A)－25 (B)－20 (C)－15 (D)－10。 ( )11.JFET用作線性放大器時，汲極電源電壓為 (A)+VDD (B)－VDD (C)零電壓 (D)視P或N通道而定。 ( )12.下列四項中，以哪一個具有最大的輸入阻抗？ (A)射極隨耦器 (B)達令頓組態 (C)JFET (D)MOSFET。 ( )13.已知基極接地，=，=，IE=IB+IC，則應為如何？ (A)+ (B)－ (C)1+ (D)1+。 君毅高級中學九十四學度第一學期第一次段考資訊科四技二專班三年級電子學試卷（二） 日期：94-10-14 範圍：第四、五、六章 命題老師：周世平 班級：______座號：____姓名：_______ ( )14.已知某電晶體之共基極（CB）電流增益α由0.99變為0.98，若此電晶體基極電流IB = 0.02mA，請問下列敘述何者錯誤？　(A)共射極（CE）電流增益β將會增加　(B)射極電流由2mA降為1mA　(C)集極電流由1.98mA降為0.98mA　(Ｄ)若想維持原來的集極電流，可增加基極電流。 ( )15.在電晶體各組態中，電壓增益與電流增益乘積最高的是 (A)共基極 (B)共集極 (C)共射極 (D)兩級共集極並聯。 ( )16.有一JFET，若夾止電壓VP=－7V，IDSS=9mA，求VGS在－1V處的IDS值為多少mA？ (A)12.6 (B)9.6 (C)8.6 (D)6.6 mA。 ( )17.某電晶體之集極電流為2mA，射極電流為2.02mA，試求其電流增益dc為多少？ (A)10 (B)50 (C)100 (D)150。 ( )18.若已知共射極組態之電路，其=30，集、射極電阻為200kΩ，射、基極電阻為2kΩ，求其電壓增益為若干？ (A)－