第三章二极体与双极性电晶体.DOCVIP

第三章電晶體特性 共五頁 一.電晶體：雙載子元件，雙極性電晶體簡稱BJT 1.電晶體為一個三層的半導體裝，如NPN、PNP如圖 2.E表射極，B表基極，C表集極 3.摻入雜質濃度大小ECB，電阻(係數)BCE 4.PNP電晶體：多數載子為電洞，少數載子為電子，雙載子元件 PNP電晶體：多數載子為電子，少數載子為電洞，雙載子元件 5.電晶體三個偏壓區： 工作區：B-E接面(射極接面)為順向偏壓，C-B接面(集極接面為逆向偏壓 (1)空乏區集極接面較大(2)電晶體作為線性放大器電路(3)VCE(1/2Vcc (3)稱操作區或活動區、動態區(active region) 截止區：(1)B-E接面為逆向偏壓，C-B接面為逆向偏壓 (2)IB=0 飽和區：(1)B-E接面為順向偏壓，C-B接面為順向偏壓 (2)VCE(0或(0.2V) (3) 電晶體作為開關電路，ON時在飽和區，OFF時在截止區 (4)電晶體在數位電路中,主要功能為開關電路 6.如將集極與射極對調連接則耐壓降低，增益降低 7.NPN頻率特性及交換速率皆高於PNP 8.IE=IB+IC 1.欲使電晶體當成開關使用時,應將電晶體工作區設計在何種區域？(A)反向主動操區 (inverse-Active) (B)順向主動操作區(forward-Active) (C)飽和區(Saturation) (D)截止區(cut off) [78教院] 2.電晶體作為放大器使用時,下列各極間偏壓情況何者正確？(A)BE反向,CB順向 (B)BE向,CB 反向 (C)BE順向,CB反向 (D)BE順向,CB順向 [81彰師] 3.如右圖為電晶體的符號表示法,其中a,b,c三個端子依序分別表示電晶體 的(A)射極,基極,集極 (B)基極,集極,射極 (C)集極,射極,基極 (D)基極,射極, 集極 [81南夜] 4.下列有關電晶體於不同工作區,基極B,射極E,集極C間之偏壓何者正 確？(A)作用區(active region)：B-E順偏,B-C順偏 (B)作用區：B-E順偏,B-C 逆 偏 (C)飽和區(saturation region)：B-E順偏,B-C逆偏 (D)飽和區：B-E逆偏,B-C逆偏 (E)截止 區(cutoff region)：B-E順偏,B-C順偏 [82四技] 5.電晶體作為線性放大器時,其工作區域在(A)作用區(B)飽和區 (C)截止區 (D)無限制 [83中夜] 6.電晶體電路中,若電晶體於正常情況下設計成開關,當為ON狀態時,其工作區域為：(A)線性工 作區 (B)截止區 (C)負電阻區 (D)飽和區 (E)以上皆非 [84四技] 7.電晶體當作線性增量放大時主要工作在(A)工作區(B)截止區 (C)飽和區 (D)反向模式[85保甄] 8.電晶體截止時是在(A)IE=0且IB=0 (B)IE=0且IC為最大(C) IEIB (D) IEIB [85南夜] 9.電晶體飽和時,則(A)IB=0 (B)IC=0 (C)IE=0 (D)VCE(0 [85南夜] 10.電晶體在數位電路中,主要功能為(A)整流 (B)放大(C)開關 (D)濾波 [85南夜] 11.雙極性電晶體作開關使用時,當開關(ON)時,則此電晶體工作於(A)作用區 (B)飽和區 (C)截止 區 (D)崩潰區 [86南夜] 12.電晶體若只當作開關使用,則應保持在(A)工作區 (B)飽和區及截止區 (C)工作區與飽和區 (D)反向偏壓區 [86南夜] 13.電晶體加入載子濃度的大小為(A)BCE (B)ECB(C)CEB (D)EBC [86中夜] 14.當電晶體之B-E接面順向偏壓,C-B接面逆向偏壓時,則此電晶體之工作方式在(A)作用區 (B) 飽和區 (C)截止區 (D)反轉區 [86北夜] 15.電晶體之集極與射極對調連接，則(A)耐壓提高，增益降低 (B)耐壓降低，增益不變 (C)耐壓 不變，增益降低 (D)耐壓降低，增益降低 16.下列敘述何者錯誤？(A)NPN頻率特性高於PNP (B)PNP頻率特性高於NPN (C)NPN主要載 體為電子 (D)PNP主要載體為電洞 17.PNP電晶體是屬於(A)單載子元件 (B)雙載子元件 (C)載子種類數，視材料而定 (D)以上皆非 [76彰師] 18.BJT在活動區使用時，集極接合面之空乏區較射極接合面為(A)大 (B)小 (C)相同 (D)不一定 [76彰師大] 19.一NPN電晶體偏壓於活動區，則(A)VBE0,VCE0,VBC0