退火对Zn扩散的影响及其在InGaAs探测器中的应用.PDFVIP

第 卷第 期 年 月 41 2 红外与激光工程 2012 2 Vol.41 No.2 Infrared and Laser Engineering Feb. 2012 退火对Zn 扩散的影响及其在InGaAs 探测器中的应用 1,2,4 1,2,4 1,2,4 1,2 3,4 1,2 1,2 5 6 1,2 邓洪海 ，魏 鹏 ，朱耀明 ，李 淘 ，夏 辉 ，邵秀梅 ，李 雪 ，缪国庆 ，张永刚 ，龚海梅 (1. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海200083 ；2. 中国科学院上海 技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海200083 ；3. 中国科学院上海技术 物理研究所红外物理国家重点实验室，上海200083 ；4. 中国科学院研究生院，北京100049 ； 5. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室，吉林长春130033 ； 6. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海200050) 摘 要： 采用闭管扩散方式，对不同结构的异质结外延材料In0.81Al0.19As/In0.81Ga0.19As 、InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As 、 InP/In0.53Ga0.47As 实现了Zn 元素的P 型掺杂，采用扫描电容显微技术(SCM)和二次离子质谱(SIMS)研 究了在芯片制备中高温快速热退火(RTP)处理环节对p-n 结结深的影响。结果表明：由于在这3 种异 质结外延材料中掺杂的Zn 元素并未完全激活，导致扩散深度明显大于p-n 结结深；高温快速热退火 处理并不会显著影响结深的变化，扩散完成后的p-n 结深度可以近似为器件最终的p-n 结结深；计算 -12 2 -12 2 了530 ℃下Zn 在In0.81Al0.19As 、InAs0.6P0.4 、InP 中的扩散系数D 分别为 1.327×10 cm / s 、1.341 10 cm / s 、 -12 2 1.067×10 cm / s 。 关键词： 快速热退火； Zn 扩散； 结深； InGaAs 中图分类号： TN21 文献标志码： A 文章编号： 1007-2276(2012)02-0279-05 Annealing process on Zn diffusion and its application in fabrication of InGaAs detectors Deng Honghai1,2,4, Wei Peng1,2,4, Zhu Yaoming1,2,4, Li Tao1,2, Xia Hui3,4 , Shao Xiumei1