集成电流和电压测量的直接射频功率注入法-微波杂志.PDFVIP

TechnicalFeature 技术特写 集成电流和电压测量的直接射频 功率注入法 DPI With Integrated Current and Voltage Measurement Dipl. Ing. Sven König，Langer EMV-Technik GmbH 为了评定集成电路芯片（IC ）对射频骚扰 单个引脚。射频功率放大器放大后的射频电 信号的抗扰性能，需要使用特别的测试 流通过50欧姆导线和一个耦合电容注入到芯 方法，将规定的射频干扰信号通过确定的网 片的相应引脚。射频骚扰信号的强度由定向 络途径注入到芯片中。 耦合器测量的正向功率来判定。譬如如果因 按照集成电路电磁抗扰度标准 射频电流而导致芯片发热和功能异常，该功 IEC62132 ，有三种典型的IC抗干扰测量方 率就是一个正确的物理评价参数。 法，即直接射频功率注入法（DPI- Direct 然而，有的射频干扰过程也可能与该注 Power Injection ），TEM小室法（Transverse 入功率毫不相关。具体的例子有振荡器的停 Electromagnetic Cell ）和集成电路带线法（IC 振，运算放大器、晶体管或者二极管的解调 Stripline ）。 等。这些干扰过程仅仅在很低的程度受到芯 直接射频功率注入法是以传导的方式将 片消耗功率的影响。相反，它们更多是由于 骚扰功率注入到IC 中，而TEM小室法或集成 基本的物理量而产生的，譬如射频电流或射 电路带线法主要是将在标准小室内传播的电 频电压导致射频电流的解调等。在电磁兼容 磁场直接作用到IC表面。 测试的其他领域，譬如猝发测试或静电放电 本文将详细讨论DPI方法，并介绍其局 测试，骚扰电压或骚扰电流就是导致受测件 限性以及对DPI方法必要的改进和扩展。通过 产生异常的基本量参数。高电流或高电压不 对该方法进行扩展，能够获取电磁兼容性参 一定意味着高功率。 数，更好地描述芯片的抗扰性能。对芯片用 如果对半导体进行测试，匹配情况取决 户而言，这些电磁兼容性参数既是电路设计 于换向状态。此外还要考虑切换边沿本身具 过程中选定芯片的依据，也是印刷电路板组 有的失配特征。测量的平均功率P正向和P反 件电磁兼容设计的基础。此外，通过分析这 向都不包含与物理量u(t)和i(t)相关的重要系统 些参数，芯片生产商就能够定位和排除芯片 信息。为了获得新的认识和信息，譬如识别 中的薄弱点。 发现芯片中的薄弱点，或者确定芯片设计及 本文以LIN收发器为实例，讨论直接射频 平面电路板开发过程的薄弱环节，必需了解 功率注入（DPI ）的扩展方法。 射频电流和射频电压随时间的变化情况。 DPI方法的进一步扩展 电流计和电压计对测量的影响 实践证明，IEC62132-4规定的直接射频 微处理器电源引脚的欧姆电阻通常很 功率注入法（图1）能够有效地评定芯片的抗 小，一般在毫欧至欧姆的范围内。芯片中可 扰性能。 能还有几个nF