d2光电图传应用.ppt

【2】 Ch.5 典型线阵CCD图像传感器（P73；当前热门光电检测与测量离不开图像与图像传感，后者核心是CCD 、CMOS。考研） 5.1 单沟线阵CCD－TCD1209D 5.1.1 基本结构 （1）构成：(右下图4-17)每元一 PN结(P底N阱结)即光电D＋MOS电 容（栅极下势阱电荷充放电等效成电容量）构成（等效电路）。 总2075元，有效元S1～S2048共2048， 前19、后8的遮蔽元消除两端漏光形成的 不完整信息，致图像失真负面影响(P73图5-1) （2）转移栅控原理SH：图5-2虽邻栅压高有 势阱，但中间SH低无阱，阻隔离左右两包 电荷流动。后阱上一轮电荷出，SH跳高前阱电荷转 后阱。输出：图5-1（两相控）模移器末元输出栅 控CR2B跳低，电荷挤到输出端检测二极管D图4-17、经放大OS出。 （2）电子束扫描/像敏单元构成靶面，正面成像转换，背面扫描读取 （2）电子束扫描/像敏单元构成靶面，正面成像转换，背面扫描读取 SH高通？，一行各元光电转换积分电荷并出转到CCD模移器（图5-1）； SH低，模移器电荷OS串出（图5-3，两相控移；RS元同步控）： 先延13虚元、16个哑元+ 3个不用元，再出20 48信元转移电荷。最后D39作为行是否结束检测信号。同时，线阵积分下一行。 5.1.2 工作原理 5.1.3 特性参数： （1）光谱响应特性（相对光谱 灵敏度～λ图5-14），300～550～1100 nm。 不均匀性/PRNU定义： ①50％饱和曝光量下， 各元间输出信号电压差值 ΔU/各元输出信号均值电 压U)× 100%┅ ②或50％饱和曝光量下，各相邻元出电压最大差值。 （2）器件光电传感灵敏度R定义 ①输出电压Uo/曝光量Hv （Hv=Ev·t）。 ②或用给定Uo时饱和曝光量SE（Qsat）衡量；Uo一旦给定， SE越小的器件，其灵敏度R越高。如1209D SE＝0.06［lx.s］。 （3）动态范围DR定义 ② DR = 饱和曝 光量 Qsat/QS/N=1（ 信噪比为1时的曝光量）。 （不易计量） ①或DR = 饱和输 出电压 USAT/暗信号 输出电压 UDARK （参数见表5-1,核算2000） 5.1.4驱动控制电路 （1）脉冲产生电路 现场可编程器件（FPGA）：左半晶振与分频器产生基本时钟cp和缓冲脉冲，右半可变模（可编程）计数器输出各种要求相位、时序 的驱动控制 脉冲信号。 （2）驱动电路 （1）基本结构 64＋2160＋12＝2236元 前后诸元又检测暗流。2条存储栅、转移沟，2条模移器，下奇上偶，其它同上 （2）工作原理（同上自阅） IC：右图左上IC 74HC04P反相器，输出需要的各功率驱动控制信号到CCD-1209D，再出OS视频驱动信号。VT：PNP型射随器5.1.5 外形 尺寸。 5.2 典型双沟道线阵TCD1206SUP （3）驱动控制电路与信号波形 右图左上反相器出各种控制信号接入1206，波形见下图上半。VT1、VT2为两路PNP射随器，其输出OS为有效视频信号；DOS为输出补偿信号（次页图——P79图5－9）反映CCD暗（零像输出）电流（因有复位脉冲作用下非像信号经传输沟道电流，形成容性干扰）特性。 容性干扰须滤除——OS、DOS受容性干扰相同，可利用差分 放大器（高速视频差放LF357）将二者的 共模干扰相减去除。 HC周期同转移脉冲SH，为2160元有效输出的行同步控制脉冲。SP为与元输出同步的采样控制脉冲。 驱动脉冲波形见次页图。 ＞（4）特点 ①驱动简便： 只需为74HC04反相 器、提供TTL电源，1206 CCD内有电平转换，满足 各部分不同电源需求。 ②传感灵敏度高： ⅰ）饱和曝光量CE= 0.037（lx·s），高于1209D-0.06（lx·s ）？ ； ⅱ）或光电转换灵敏度输出电压45V/（lx·s）（每单位曝光量），低于1208 AP-110V/（lx·s ）； 动态范围1700，大大高于1208AP-400。 广泛用于要求较高的各种尺寸测量领域。 ③光谱响应：（右上图） 紫外～550～1100nm。 ④温度特性与积分时间： 温升引起暗流增加，可通过差放抑制，故温度特性较好—— 图5－13中UOS～T曲线平坦。 图5－14中，暗电压（暗信号输出电压/饱和输出电压）×100%随积分时间加长上升：因为积分也对暗电流（压）积分，