高级半导体拓扑仿真解决方案模型和特征多层互连-Silvaco.PDFVIP

Elite 高级物理蚀刻和淀积仿真器 Elite是一个高级的二维拓扑仿真器，用于模拟现代半导体技术技术的物理蚀刻、淀积、回流和化学机械抛光(CMP)工艺。 在ATHENA框架系统中，Elite提供了无缝的SSuprem4和Optolith工艺仿真器的双向集成，包含了一个额外的MC蚀刻/淀积 模块，提供基于蒙特卡罗的原子蚀刻/淀积模型。 高级半导体拓扑仿真解决方案 • Elite预测复杂工艺中的拓扑演变，诸如多层金属化、深槽 • 化学机械抛光和材料回流模型为关键抛光工艺提供分析性 蚀刻、CVD、APCVD 、LPCVD、等离子蚀刻以及离子减 能 薄 • Elite提供了高效和经济的方法，用于解决那些在使用有效 拓扑设计规则的工艺中遇到的问题 • Elite完备的性能使得能够精确地仿真关键工艺如抛光平面 化、阶梯覆盖、空隙率、微观裂纹形成和互连纵梁和平缘 • 与版图编辑器MaskViews无缝接口，允许研究单个拓扑工 艺和最终结构上的CD变异和位移效应 模型和特征 多层互连 • 与Optolith光刻仿真器和SSuprem4工艺仿真器无缝集成 • 快速和强大的算法用于材料表面演化的仿真 • 支持蚀刻和淀积机器库定义 • 包括几种默认的机器定义 淀积模型 • 8种物理模型: 等角, CVD单定向、双定向、半球、轨道、圆 锥式以及用户定义模型 • 微观裂纹形成 • 金属化过程中的密度偏差 • 物理溅射 蚀刻模型 • RIE模型结合了各向同性和定向蚀刻 • 基于各向同性分布图进化的湿法蚀刻 • 离子减薄模型 • 射束发散性用于干式蚀刻模型 • 依赖掺杂和依赖压力的蚀刻率 使用Elite可以仿真多层互连结构的精确描述。上图说明了其性能 • 微加载效应 可用于评估紧密互连线和复杂互连结构的电解质膜均匀性。与 • 回流效应 SSuprem4接口可允许掺杂和氧化分布图包括在结构中。 化学机械抛光(CMP) • 抛光垫降级模型 • 图形密度效应 • 遮蔽效应 • 同步化学和机械腐蚀 微加载效应 Bonded SOI Wafer以及深沟道隔离工艺 Elite中的蚀刻模型考虑了几何和高级物理效应。上图显示了反应离 子蚀刻的微重载效应。由于阴影效应，局部离子通量减小，从而该 沟道的有效蚀刻率较小，使得掩模窗口变窄。 这个范例结合Elite和SSuprem4仿真，应用在Bonded SOI wafer 上的深沟道隔离工艺。这个结构中产生了一个双极有源器件。也 同时考虑了有源自动器件的表面节点上的回流效应。 金属内部电介质空洞形成 Elite可以优化工艺避免淀积中的多余 空洞的形成。上面的例子显示了两个 邻近的导体(多晶硅和铝)用法。它们 之间狭窄的空隙在TEOS淀积之后可 以形成空洞。这种金属内部的电介质 材料、电介质厚度、绝缘方法和设计 规则可