第1章半导体材料.pptVIP

三、非平衡载流子的产生与复合 表面复合： 直接复合间接复合只涉及材料体内的复合过程和寿命。实际在材料表面也存在复合过程，在材料表面常常存在各种复合中心，所以表面复合的本质也是间接复合。 实验测得表面寿命值低于体内寿命值，由于存在表面复合，能使晶体管小注入电流放大系数下降，反向漏电增大，对晶体管的稳定性、可靠性、噪声都有严重影响。 三、非平衡载流子的产生与复合 其中Dh为空穴扩散系数，?p为空穴的寿命。得到方程的解，即为非平衡空穴浓度的分布： Lh＝(Dn?p) 1/2为非平衡空穴扩散长度，标志空穴浓度降至1/e所需的距离。 非平衡载流子的的扩散运动： 由于非平衡载流子一般是靠外部条件的作用而产生的，因而在半导体中各处的浓度不像平衡载流子那样是均匀的。以光注入为例，设以稳定的光均匀照射半导体表面，光只在表面极薄的一层产生非平衡载流子，由于浓度梯度的作用，对于N型样品，非平衡的空穴将向材料内部扩散，并形成稳定的分布，根据一维的连续性方程： 三、非平衡载流子的产生与复合 对非平衡电子的扩散有 其中 Ln＝(Dn?n) 1/2为非平衡电子扩散长度,Dn为电子扩散系数,?n为电子寿命。 载流子扩散系数D与迁移率?遵从爱因斯坦关系： 而Lh、Ln也是半导体的一个重要参数，是有关器件设计、提高性能必须考虑的因素。 非平衡载流子的的扩散运动 四、半导体的界面特性 如果在