大电流高频IGBT用M57962L驱动能力解决方案.pdfVIP

EA 产品与技术 器件电路 文/北京交通大学电气工程学院 蓝 宏 胡广艳 张立伟 叶 斌 大电流高频IGBT用M57962L 驱动能力解决方案 介绍M57962L对IGBT开关器件的驱动与保护原理，并为 型号的IGBT设计了专用驱动保护电路。针对异步电动机用逆变器进行了试验测试，重点 分析并解决了M57962L在大电流高频IGBT驱动应用中遇到的问题。 IGBT应用关键是其驱动保护电路设计。驱动电路要保证 14 4U 一条低阻抗的放电回路，同时驱动电源的内阻一定要小，即 CC 检测 1测量点 栅极电容充放电速度要快，以保证VGE有较陡的前后沿，使 光耦 定时复位 IGBT开关损耗尽量要小。在IGBT承受短路电流时，能及时 关断，从而对IGBT进行有效保护。 接口 5U out 因此，驱动电路的结构和参数会对IGBT的运行性能产生 门极封锁 8故障输出 13 显著影响，如开关时间、开关损耗、短路电流保护能力和抗 6U EE dv/dt能力等。根据IGBT的型号类型和参数指标合理设计驱 图1 M57962L内部功能模块框图 动电路对于充分发挥IGBT的性能是十分重要的。 本文中设计的驱动电路应用在异步电动机变频调速系统 1是其内部原理框图。 中，三相全桥逆变器选用IGBT型号为SKM600GB126D，考 虑到开关频率高以及逆变器空间等因素限制，选用三菱公司 典型驱动电路设计 的M57962L作为IGBT驱动电路。 图2所示为M75962L典型驱动电路，下面是电路的具体 M57962L因其驱动可靠，价格低廉，被广泛地应用于N 设计步骤。 沟道大功率IGBT驱动领域。它采用双电源驱动结构，内部集 1.驱动电阻的选取 成有2 500 V高隔离电压的光耦合器和过电流保护电路。过 使用M57962L，必须选择合适的驱动电阻。驱动电阻越 电流保护输出信号端子和与TTL电平相兼容的输入接口，图 小，上升和下降时间越短，但是太短会使di/dt过大；驱动电 R 4.7 kΩ 3 R VD VD 1 2 8