国内外开关电源的发展展望.pdfVIP

维普资讯 国内外开关电源的发展展望 FutureDevelopmentofSwitchPowerSupplyatHomeandAbroad 中国电源学会 理 6-事长 南京航空航天大学 三 授 f ／ 一 ／ l 源发展中的市场和在21世纪的发展展望。 关键词 开关电浠 器件 集成 工艺 一 ， 蜀太的市场需求．始终是开关 系统直流操作电源，是针对国家投资 间，因而很容易地便可达到1MHz的开 电漂发展的■薹动力 4000~L元用于城网、农网的供电工程改 关工作频率而受到世人瞩目。但是 开关电源技术属于电力电子技术， 造、提高输配电供电质量而推出的，它 MOSFET，提高器件阻断电压必须加宽器 它运用功率变换器进行电能变换 经过 已开始采用开关电源以取代传统的相控 件的漂移区，结果使器件内阻迅速增 变换的电能，可以满足各种用电要求。 电源。国内一些通信公司如中 通讯等 大，器件的通态压降增高，通态损耗增 由于其高效节能可带来巨大经济效益， 均已相继推出系列产品。 大，所以只能应用于中小功率产品。为 因而引起社会各方面的重视而得到迅速 目前，国内开关电源 自主研发及生 了降低通态电阻，美NIR公司采用提高 推广。 产厂家有300多家，形成规模的有十多 单位面积内的原胞个数的方法。~flIR公 肚AC—DC的变换为例，与传统采 家。国产开关电源已占据了相当市场， 司开发的一种HEXFET场效应管，其淘 用工频变换技术的相控电源相比，采用 一 些大公司如中兴通讯自主开发的电源 槽 (Trench)原胞密度，已达世界最高 大功率开关管的高频整流电源，在技术 系列产品已获得广泛认同，在电源市场 每平方英寸112亿个的水平，通态电阻R 上是一次飞跃，它不但可 方便地得到 竞争中颇具优势，并有少量开始出口。 可达3毫欧。功率MOSFET，5OOV、 不同的电压等级，更重要的是甩掉了俸 TO220封装的HEXFET自1996年以来， 大笨重的工频变压器及滤波电感电容。 二 21世纪开关电漕的发展展望 其通态电阻以每年50％的速度下降。IR 由于采用高频功率变换，使电源装置显 能源在社会现代化方面起着关键作 公司还开发了一种低栅极电荷 (Qg)的 著减小了体积和重量，而有可能和设备 用。电力电子技术 其灵活的功率变换 HEXFET，使开关速度更快，同时兼顾 的主机体积相协调，并且使电性能得到 方式，高性能、高功率密度、高效率， 通态电阻和栅极电荷两者同时降低，则 进一步提高。正因为如此，1994年，我 在21世纪必将得到大力发展，而开关电 R×Qg的下降率为每年30％。对于肖特 国原邮电部作出重大决策，要求通信领 源是电力电子技术中占有很大比重的一 基二极管的开发，最近利用Trench结 域推广使用开关电源以取代相控电源。 个重要方面。 构，有望出现压降更小的肖特基二极 几年来的实践已经证明，这一决策是完 1．半导体和电路器件是开关电源发 管，称作TMBS-沟槽MOS势垒肖特 全正确的 开关电源的使用为国家节省 展的重要支撑 基，而有可能在极低电源电压应用中与 了大量铜材、钢材和占地面积。由于变 功率半导体器件仍然是电力电子技 同步整流的MOSFET~争。 换散率提高，能耗减少，降低了电源周 术发展的 “龙头”，电力电子技术的进