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麦克中FE的阻抗变换作用 2
FET的阻抗变换作用
一、阻抗变换的基本概念:
1、用作阻抗变换器器件的基本特征:
输入阻抗Ri→∞,输出阻抗→0。
2、举例说明阻抗变换的概念:
= 1 \* GB3 ①、当具有内阻为Rs=100KΩ的信号源Vs直接驱动RL=1KΩ的负载时,它的输出电压为:
如图1所示:
图1
由式 = 1 \* GB3 ①可以看出输出电压Vo很小。
= 2 \* GB3 ②、若负载电阻RL=100KΩ,此时输出电压为:
= 3 \* GB3 ③、若负载电阻RL=300KΩ,此时输出电压为:
二、FET的基本常识:
1、场效应管(FET:Field Effect Transistor):按基本结构可以分为绝缘栅型(金属-氧化物-半导体)场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor FET)和结型场效应管(Junction FET)。
2、工作原理:场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件;是一种靠栅源极之间的电压控制漏源极之间电流的器件(电压控制元件)。
3、FET的特性:
这种器件不仅兼有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等优点,而且还有输入阻抗高(栅-源之间的电阻可高达~Ω)、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和控制工艺简单等优点。
三、我司生产的驻极体电容传声器的电容容量及其阻抗:
目前,我司生产的驻极体电容传声器的电容容量ф4.0系列大约为6.0 pF左右,ф6.0系列大约为10.0 pF左右,ф9.7系列大约为20.0 pF左右。
由静电学可知,对于平行板电容器,有如下的关系式:
即电容的容量与介质的介电常数成正比,与两个极板的面积成正比,与两个极板之间的距离成反比。
根据公式 = 1 \* GB3 ①可以得出我司生产的不同尺寸MIC的电容容量分别约为:
常规ф4.0系列MIC电容容量大小为:
常规ф6.0系列MIC电容容量大小为:
常规ф9.7系列MIC电容容量大小为:
其中空气的介电常数ε=8.849 F/m 。
取f=10 000Hz,C=10pF,那么其阻抗最小值约为:
驻极体电容传声器的特点:驻极体电容传声器所制作电容的电容容量小,阻抗特别高。
此时,若MIC所制作的电容在声压的作用下所产生的交流电压为Vs,取
四、FET在MIC中的阻抗变换作用:
MIC测试线路如下如所示:
其等效交流通路如下图:
由于由声压引起的信号电压Vi非常微弱,而我司生产的驻极体电容传声器阻抗Zc又很大,若上图中FET的输入内阻为一阻值不大的常规电阻RL时,则输出信号电压Vgs= 就会非常微弱。我们正是利用FET的高输入阻抗Zin 使FET栅源电压Vgs=。(由于FET的输入阻抗Zin很大,所以栅源电压Vgs与声压引起的信号电压Vi大小相当)。
五、案例分析(富士高):
由于FET受高压静电损伤,致使其栅极与源极之间的输入阻抗很小,约为0.0553MΩ(正常FET的输入阻抗在28MΩ左右),由公式Vgs=知:
正常工作时:Vgs==≈0.946 Vi ;
FET损伤时:Vgs==≈0.0336 Vi ;
由公式漏极电流 =.......... = 1 \* GB2 ⑴
输出信号(也就是灵敏度)Vo= -=-…… = 2 \* GB2 ⑵
知:
FET损伤时输出信号及其微弱以至于无信号输出导致“二无”。
另外,当一个电容器充有Q量的电荷,那么电容器两个极板要形成一定的电压,有如下关系式;
C=Q/V
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