高频4H_SiC双极晶体管.pdfVIP

器件制造与应用 Manufacturing and Application of Device 高频 4HSiC 双极晶体管的研制 田爱华 , 崔占东 , 赵彤 , 刘英坤 (河北半导体研究所 , 石家庄 050051) 摘要 : 研制出国内第一个高频 4HSiC 双极晶体管 。该器件采用了双台面结构和叉指结构 , 室温下的最大直流电流增益 (β) 为 325 , 集电结击穿电压 B VCBO达200 V 。器件的 β随温度的升 高而降低 , 具有负的温度系数 , 这种特性使该器件容易并联 , 避免出现热失控现象 。器件的高频 特性由矢量网络分析仪测量得到 , 截止频率f T 为360 MHz 、最高振荡频率f max为160 MHz 。 关键词 : 4H碳化硅 ; 双极晶体管 ; 电流增益 ; 截止频率 中图分类号 : TN3253 ; TN3228 　文献标识码 : A 　文章编号 : 1003353X (2009) Study of High Frequency 4 HSiC Bipolar Junction Transistor Tian Aihua , Cui Zhandong , Zhao Tong , Liu Yingkun ( Hebei Semiconductor Research Institute , S hij iazhuang 050051, China) Abstract : The first high frequency 4HSiC bipolar j unction transistor made in China was reported . The device with double mesa and comb structures shows the biggest DC current gain of 325 , and openemitter collector base breakdown voltage ( B VCBO ) of 200 V at room temperature . The current gain decreases with increasing temperature , which makes the device attractive for paralleling and preventing thermal runaway . The device has f T of 360 MHz and f max of 160 MHz , which are obtained with vector network analyzer . Key words : 4HSiC ; bipolar j unction transistor ; current gain ; cutoff frequency EEACC : 2520M ; 2560J 上测得最大直流 电流增益为 20 , 由矢量网络分析 1 　引言 仪测 得 器 件 的 S 参 数 , 并 得 到 f T/ f max 为 600/ 4HSiC 材料具有宽禁带 、高临界击 穿 电场 、 200 MHz , 证明了 SiCBJ T 器件在高频领域也具有