光电传感技实验.doc

实验 1 光电二极管、光电三极管光照特性的测试 实验目的 掌握光电二极管的工作原理和使用方法。 进一步了解光电二极管的光照特性和伏安特性，为设计光电系统前置放大器打下基础。 实验原理 光电二极管是结型半导体光伏探测器件。当入射光子能量大于材料禁带宽度时，半导体吸收光子能量将产生电子-空穴对。在PN结区内产生的电子-空穴对在内建电场（光电二极管工作时加反向偏压Vb）工作下被分离，形成光生电势，产生光电流，其工作原理及伏安特性分别如图1所示。 eq \o\ac( eq \o\ac(○,+) eq \o\ac(○,+) eq \o\ac(○,+) eq \o\ac(○,+) eq \o\ac(○,—) eq \o\ac(○,—) eq \o\ac(○,—) P eq \o\ac(○,—) eq \o\ac(○,—) eq \o\ac(○,—) eq \o\ac(○,—)— eq \o\ac(○,+) eq \o\ac(○,+) eq \o\ac(○,+) RL A Al 后极 SiO2 光  图1 光电二极管工作原理图 图1 光电二极管工作原理图 图2 光电三极管工作原理图 图2 光电三极管工作原理图 RL N P 光 A N 光电三极管的工作原理如图2所示。正常运行时，集电极加正电压。因此，集电结为反偏置，发射结为正偏置，集电结为光电结。当光照到集电结上时，集电结产生光电流Ip向基区注入，同时在集电极电路中产生了一个被放大的电流 其中，为电流放大倍数，光电三极管的伏安特性如图3所示。 E1 E1 E4 0 E0 V I E2 E3 E4〉E3〉E2〉E1〉E0 (b) 光电三极管伏安特性曲线 (a) 光电二极管伏安特性曲线E1 (a) 光电二极管伏安特性曲线 E1 E4 0 E0 V I E2 E3 E4〉E3〉E2〉E1〉E0 图3 光电管的伏安特性图 图3 光电管的伏安特性图 实验器材 光电二极管、光电三极管、钨丝灯、调压变压器、照度表、毫安表、直流稳压电源等。 实验内容 实验内容如下： 测量光电二极管的光电流和照度特性曲线。 测量光电二极管不同照度下的伏安特性曲线。 实验装置如图4所示。调节调压变压器的电压值，可改变光照度，可测出光电二极管的光照特性，根据实验数据绘出曲线，并解释之。在照度恒定下，改变光电二极管的偏压值，可测出光电流值，绘出伏安特性曲线。改变照度值，重复测试，绘出多组伏安特性曲线。在实验中，可采用如表1、表2所示的表格来记录偏压值恒定条件下光电流-照度数据及光电二极（三极）管伏安特性数据。 照度计光电探测器 照度计 光电探测器 支流稳压电源 A 调压变压器 图4 光电二极管光照特性测试装置 表1 偏压值恒定条件下光电流-照度数据 照度值E 光电流I0 表2 光电二极(三极)管伏安特性数据 恒定照度值 项 目 第1次 第2次 第3次 第4次 偏压值 光电流 偏压值 光电流 偏压值 光电流 实验2 硅光电池负载特性的测试 实验目的 掌握硅光电池的正确使用方法。 了解光电池零负载，以及不同负载时光电流与照度的关系。 实验原理 光电池具有半导体结型器件无源直接负载下的工作特性，其工作原理如图1所示。 ID ID IP N ——- ——- —- ⊕⊕⊕ ——- - ⊕ ⊕ P 光 A RL 图 1 光电池工作原理图 其中，外接负载为，为光电流，为二极管结电流。I为通过负载的外电流，有 式中：为光电流反向饱和电流。当为温度电压当量时，负载上的电压给光电池正向偏压。 当零负载时（RL=0），式中外电流为短路电流，即 式中：S为光电流灵敏度。可见短路电流ISC和照度E成正比。 当开路时（RL=∞），式中外电流I=0，则开路电压为 开路电压与照度E几乎无关；所有照度下的开路电压趋于光电池正向开启电压V=0.6V，并小于这个电压值。 当负载在RL=0～∞之间变化时，按经验公式求出最佳负载 当≤时，并忽略光电池结电流，负载电流近似等于恒定短路电流。 当〉时，光电池结电流按指数增加，否则电流近似按指数形式减小。 实验器材 硅光电池、照度计、钨丝灯、调压变压器、直流稳压电源、毫伏电压表、微安表、电阻和电位计等。 实验内容 实验内容如下： 测定电池零负载下和E的关系。 测定光电池不同负载情况下的特性数据。 光电池负载实验线路装置如图2所示。 R4 R4 100Ω B ｕＡ 照度计 调压变压器 图2