光电信息技复习.doc

1.在光电技术中，对光源的主要要求有：（D ） （A）发光强度要大，发光效率要高；（B）光辐射通量要大，光源稳定性要好； （C）光源方向性好，便于调制； （D）光源的光谱功率分布应与光电探测器件光谱响应相匹配。 2. 关于光电倍增管，下列说法正确的是：（B ） （A）光电倍增管主要由光电阴极、电子光学系统、电子倍增极、阳极、电源等组成； （B）电子光学系统的作用是使光电阴极发射的光电子尽可能多的汇集到第一倍增极， 并使光电子的渡越时间尽可能相等； （C）光电倍增管的增益由外加的总电压决定，与阳极电压无关； （D）阴极灵敏度由阴极材料决定，与窗口材料无关。 3. 半导体P—N结受到光照时，在外电路中产生的电流为：（C ） (A) (B) (C) (D) 4.热敏电阻与入射光的关系有：（D） （A）其响应取决于入射光辐射通量，与光照度无关； （B）其响应取决于光照度，与入射光辐射通量无关； （C）其响应取决于光照度，与入射光波长无关； （D）其响应取决于入射光辐射通量，与入射光波长无关。 5.常用的快速光电探测器件有：（B） （A）光敏电阻，光电池，光电二极管等； （B）PIN光电二极管，雪崩光电二极管，光电倍增管等； （C）热敏电阻，热释电器件，光电倍增管等； （D）CCD，热释电器件，光电倍增管等 6. 关于半导体光伏器件，以下说法正确的是：（D ） （A）光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第一象限； （B）光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第四象限 （C）光电池通常工作在其伏安特性曲线的第一象限； （D）光电池通常工作在其伏安特性曲线的第四象限； 7.光电倍增管中，产生光电效应的是（ A ） (A)阴极 (B)阳极 (C)二次倍增极 (D)玻璃窗 8.通过对半导体激光器采用（ B ）来获得调制光信号 (A)外调制 (B)直接调制 (C)相位调制 (D)电光调制 9.光敏电阻的暗态前历效应是指光敏电阻工作前处于暗态，它突然受到光照后表现为暗态前历越长，光电流上升（ A ） (A)越慢 (B)越快 (C)不变 (D)无法判断 11.电荷耦合器件分 ( A ) (A) 线阵CCD和面阵CCD (B) 线阵CCD和点阵CCD (C) 面阵CCD和体阵CCD (D) 体阵CCD和点阵CCD 12. 光通亮φ的单位是( C) (A) 焦耳 (J) (B) 瓦特 (W) (C)流明 (lm) (D)坎德拉(cd) 1．说明光电倍增管结构和原理。 2.选用光敏电阻应当注意什么？ 1）用于测光的光源光谱特性必须与光敏电阻的光敏特性匹配 2）要防止光敏电阻受杂散光的影响 3）要防止是光敏电阻的电参数（电压、功耗）超过允许值 4）根据不同用途，选用不同特性的光敏电阻。 3.简述激光器的组成及各组成部分的作用。 组成：工作物质、泵浦源、谐振腔。作用：工作物质：在这种介质中可以实现粒子数反转。泵浦源（激励源）：将粒子从低能级抽运到高能级态的装置。谐振腔：(1)使激光具有极好的方向性(沿轴线)。(2)增强光放大作用(延长了工作物质)。(3)使激光具有极好的单色性(选频)。 4. 光电发射效应与光电导效应相比有什么区别？ 光电发射效应指在光照下，物体像表面以外的空间发射电子的现象；而光电导效应指半导体材料吸收能量足够大的光子后, 会使原先处于束缚状态的电子或空穴转变为自由状态, 从而使半导体的电导率增加的现象。 5. 什么是声光调制 6. 说明光子效应和光热效应各自特点。 1. 光子效应：指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小，直接影响内部电子状态的改变。 特点：光子效应对光波频率表现出选择性，响应速度一般比较快。 2. 光热效应：探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升,温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。 特点：原则上对光波频率没有选择性，响应速度一般比较慢。 7. 画出本征、N型、P型半导体能带结构。 8. 一块半导体样品，本征浓度，N区掺杂浓度P区掺杂浓度，求PN结的接触电势差。（室温下）