光电检测技第三章.ppt

第三章 光电检测器件3.1 ;光电效应光照射到物体表面上使物;外光电效应：物体受光照后向外发;光电导效应：半导体受光照后，内;光热效应光热效应：材料受光照射;光电检测器件的类型光电检测器件;光电检测器件光子器件热电器件真;半导体光电器件光电导器件（内光;光电检测器件的特点光子器件热电;器件的基本特性参数响应特性噪声;一、响应特性1.响应度（或称灵;电压响应率 光电探测;２.光谱响应度：探测器在波长为;４.响应时间：响应时间τ是描述;光电探测器响应率与入射调制频率;：上限截止频率 时间常数;二、噪声特性在一定波长的光照下;噪声在实际的光电探测系统中是极;光电探测器常见的噪声热噪声散粒;1、热噪声或称约翰逊噪声，即载;2、散粒噪声散粒噪声：入射到光;3、产生-复合噪声半导体受光照;4、1/f噪声或称闪烁噪声或低;５、信噪比信噪比是判定噪声大小;６、噪声等效功率(NEP)定义;噪声等效功率是一个可测量的量。;７、探测率与归一化探测率探测率;三、量子效率?（?）量子效率：;量子效率与响应度的关系1.I/;四、线性度线性度是描述光电探测;五、工作温度工作温度就是指光电;3.2 光电子发射器件光电管 ;光电管及其基本特性 ;当入射光照射在阴极上时，单个光;光电管的类型① 中心阴极型：这;光电管结构百风秤前铭暮肃熔茁魏;光电管测量电路图 ;伏安特性光照特性光谱特性响应时;1.伏安特性 ;2.?光照特性当光电管的阳极和;3.灵敏度 ;光电倍增管主要由光阴极K、倍增;光电倍增管昧涪倪狙眠困挣煎湛瑞;光电倍增管的基本电路 变化缓慢;光电倍增极材料要求：耐撞击、稳;阴极灵敏度 红外灵敏度来表;2.暗电流 光电倍增管接;3.放大倍数 在一定的工作;103 104 105 106;4.光谱响应度 光谱响应;5.光照特性与直线最大偏离是3;一、光敏电阻光敏电阻是光电导型;光敏电阻的特点：光谱响应范围宽;光敏电阻 (LDR) 和它的符;1. 光敏电阻的工作原理光敏电;入射光倾翅夜得祸蛊瓜睡深娄赤韭;本征型和杂质型光敏电阻本征型光;光电导与光电流光敏电阻两端加电;２．光敏电阻的工作特性光电特性;光电特性：光电流与入射光照度的;在弱光照下，光电流与照度E具有;光电导灵敏度: 光电导g与照度;光电导增益 光电导增益反比于电;伏安特性在一定的光照下，光敏电;受耗散功率的限制，在使用时，光;光敏电阻时间常数比较大，其上限;光敏电阻的时间响应特性较差材料;随着温度的升高，光敏电阻的暗电;光敏电阻的应用基本功能：根据自;光电池光电二极管光电三极管3.;硅光电池光电池是根据光生伏特效;光电池的结构特点光电池核心部分;受光面有二氧化硅抗反射膜，起到;虐嘴监肪眷气吗慰升探章豹银壕濒;光电池等效电路傅叹趋敌老折面袄;巳权虱盘棘霹淀贰烤裂阴历妊志呸;诉骑籽借其馈记伶呆跋脑脑驻娶第;光电池的特性1、伏安特性 ;光电池伏安特性曲线郎紧径可漠处;反向电流随光照度的增加而上升I;2、时间和频率响应 ;要得到短的响应时间，必须选用小;开路电压下降大约2?3mV/度;4、光谱响应度硅光电池 响应;5、光电池的光照特性连接方式：;光照特性--- 开路电;负载RL的增大线性范围也越来越;光电池的应用1、光电探测器件 ;光敏二极管光敏二极管与普通二极;光电二极管（光敏二极管）光敏二;外加反向偏压光敏二极管一般在负;光敏二极管体积小，灵敏度高，响;PIN型二极管的优点选择一定厚;当光敏二极管的PN结上加相???大;雪崩光电二极管的倍增电流、噪声;在偏置电压较低时的A点以左，不;雪崩光电二极管具有电流增益大，;雪崩光电二极管与光电倍增管比较;光敏二极管阵列 将光敏;光敏三极管（光电三极管）光电三;NPN光电三极管结构原理简图败;光电三极管工作原理 NPN光电;发射结集电结BECNNP基极发;光电三极管与光电二极管相比，具;光敏三极管的伏安特性 硅;硅光电三极管硅光电二极管溃碘逆;光敏三极管的温度特性 光电三;光敏三极管的（调制）频率特性 ;3.5 光电耦合器件定义：发光;CCD （Charge Cou;CCD的结构MOS 光敏元：构;在栅极加正偏压之前，P型半导体;电荷的转移（耦合）慰阶千质呻豫;缘投气羹逸胸顶模伞寇忽况棕弘盟;ＣＣＤ主要由三部分组成：信号输;CCD的特点体积小，功耗低，可;CCD的特性参数像素数量，CC;CCD按电荷存储的位置分有两种;CCD的类型线阵ＣＣＤ：光敏元;线阵CCD：一行，扫描；体积小;二相驱动视频输出?行扫描发生器;CCD器件的应用 1、小型化黑;4、广播TV 用SS;6、可用于各种标本分析（如血细