基于Ti／Pt／Au欧姆接触金属系统的InP基HEMT器件.pdfVIP

半导 器件 SemiconductorDevice DOI：10．13290／j．cnki．bdtjs．20l4．03．004 基于Ti／Pt／Au欧姆接触金属系统的 InP基 HEMT器件 于宗光 ，李海鸥 2 黄伟 (1．中国电子科技集 团公 司 第五十八研究所，江苏 无锡 214035； 2．桂林电子科技大学 广西信息科学实验中心，广西 桂林 541004) 摘要 ：应用钛 ／铂 ／金 (Ti／Pt／Au)金属系统在 InP基 HEMT制备工艺 中形成 了良好 的欧姆 接触 ，通过优化合金条件，获得 了较低的欧姆接触电阻，并在此基础上对钛 ／铂／金欧姆接触形成 机理进行 了深入讨论 。实验结果表 明：在氮气气氛下进行温度 300℃／30S快速热退火后 ，得到 欧姆接触最小电阻值 为