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§1.5 场效应晶体管 1.5.1结型场效应三极管（JFET） 2、FET的工作原理 3、JFET的特性曲线 1.5.2 绝缘栅场效应三极管的工作原理 一、N沟道增强型MOSFET 3、特性曲线 二、N沟道耗尽型MOSFET 三、P沟道耗尽型MOSFET 四、各类FET的伏安特性曲线 1.5.3 场效应三极管的参数和型号 几种常用的场效应三极管的主要参数 1.5.4 双极型和场效应型三极管的比较 * * 结型场效应管 绝缘栅场效应管 场效应管的主要参数 双极型和场效应三极管的比较 场效应管（Fiedl Effect Transistor——FET）是利用电场效应来控制的有源器件，它不仅兼有一般半导体管体积小、重量轻、耗电省、寿命长的特点，还具有输入电阻高（MOSFET最高可达1015Ω）、噪声系数低、热稳定性好、工作频率高、抗辐射能力强、制造工艺简单等优点。在近代大规模和超大规模集成电路以及微波毫米波电路中得到广泛应用。 按结构，场效应管可分两大类： 结型场效应管（JFET） 绝缘栅型场效应管（IGFET） 1、结型场效应三极管的结构 在N型半导体硅片两侧扩散高浓度的P型区，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区连在一起构成栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 结构动画 N vGS vDS D S G iD P+ P+ 1、vGS对iD的控制 vDS=0，| vGS | 增大，导电沟道变窄，沟道电阻增大。沟道完全夹断时vGS=VP（VGS（off）），称夹断电压。 若vDS为一固定值，则iD将受vGS的控制。 现以N沟道为例说明其工作原理。 vGS=0， vDS增加沿沟道将产生一电位梯度，导电沟道呈楔型， iD与 vDS近似成正比。 当两楔型相遇时，称预夹断。此时 vGD= vGS? vDS= VP iD= IDSS—饱和漏极电流 N vGS vDS D S G iD P+ P+ 预夹断后，随vDS增加，夹断长度略有增加， iD几乎不随vDS增加而上升。 结论：JFET是电压控制电流器件。 2、vDS对iD的影响 （1）输出特性曲线。 + ? vGS vDS iD + ? S G D 以vGS为参变量， iD与vDS的关系 在恒流区或饱和区， iD受vGS的控制，用作放大电路的工作区域，也称线性放大区。 输出特性曲线 （2）转移特性曲线 以vDS为参变量， iD与vGS的关系，描述了输入电压对输出电流的控制作用。 转移特性曲线 当JFET工作在饱和区时，改变vDS可得一族转移特性曲线。它们几乎重合，通常用一条曲线来近似表示。实验表明，在VP≤v GS≤0范围内，iD与vGS间呈平方律关系，即 ?为什么不讨论JFET的输入特性？ 栅-源间的PN结是反偏的，故输入端的电流近似为零。 + ? vGS vDS iD + ? S G D 绝缘栅型场效应管中应用最多的是以二氧化硅作为金属（铝）栅极和半导体之间绝缘层 ，又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOSFET ( Metal-Oxide-Semiconductor FET)。 MOSFET可分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 结构 1、结构 N沟道增强型MOSFET在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区。 栅极G 源极S 漏极D 衬底B 2、工作原理 （1）栅源电压vGS的控制作用——形成导电沟道 正电压vGS产生的反型层把漏-源连接起来，形成宽度均匀的导电N沟道，自由电子是沟道内的主要载流子。 反型层刚形成时，对应的栅源电压vGS称为开启电压，用VT表示。 （2）漏源电压vDS对漏极电流iD的控制作用 1） vGS ≥ VT，加vDS，形成iD，且iD与vDS基本成正比。因vDS形成电位差，使导电沟道为梯形。 2）vDS增大至vGD = vGS? vDS VT，沟道被预夹断（漏端），管子进入饱和区。 vDS对iD的控制 3）沟道预夹断后， vDS继续增大，夹断点向源极方向移动， iD略有增大。 vGS变化时，vGS VT，没有导电沟道， iD≈0； vGS =VT时开始形成导电沟道； vGS ≥ VT时，导电沟道变宽。从而改变vGS 的大小有效地控制沟道电阻的大小。 ——输入电压vGS 对输出电流iD的控制 ——输出特性 ——转移特性 转移特性曲线的斜率gm（ mA/V ）的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用，称为跨导。定义： (单位mS) 管子在饱和区工作（vGS ≥ VT）时的转移特性曲线可用以下近似公式表示： 式中IDO为vGS =2 VT时的iD值。