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2017-08-24 发布于湖北
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1_场效应管医

1.4　场效应三极管;N沟道;;P 沟道场效应管;一、结型场效应管工作原理;1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用;2. 当uGS 为UGS（Off)~0中一固定值时, uDS 对漏极电流iD的影响。;G;3.当uGD uGS(off),时， , uGS 对漏极电流iD的控制作用;小结;二、结型场效应管的特性曲线; 转移特性;IDSS/V;(a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 N沟道结型场效应管的特性曲线;＊　结型P 沟道的特性曲线;1.4.2　绝缘栅型场效应管MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;一、N 沟道增强型 MOS 场效应管;1. 工作原理;(2) UDS = 0，0 UGS UGS(th);(4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UGS(th) );D;3. 特性曲线与电流方程;二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;三、P沟道MOS管;种类;种类;1.4.3　场效应管的主要参数;二、交流参数;三、极限参数;例1.4.1;例1.4.2;解：;;从输出特性曲线可得 uGS ＝10V时d-s之??的等效电阻 (D在可变电阻区，任选一点，如图);;;