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HCPL3120与IR2132应用比较
IGBT G23N60UFD
IGBT G23N60UFD
一、IIGGBBTT（GG2233NN6600UUFFDD）：
Vces（max）： 600V
Vges（max）：±20V
Ic（max）： 12A（100℃）
R （驱动电路的门极电阻推荐值）：23Ω（实际选用时大于范围值的1~10倍，150Ω）
G
−
−
+V +−−V
V V
VVGE VVGE
GE GE
GGEE GGEE
= −
驱动电流的峰值 = ，其中 正偏压电源电压，− 反
I == +V −− V
I V V
IIGP VV VV
GP GE GE
GGPP GE GE
R R+ GGEE GGEE
R R
RR RR
G
G
GG g
偏压电源电压，R 驱动电路的门极电阻，R 模块内部的门极电阻（一般为几欧姆，计
R R
RRG RR
G
GG g
算中可忽略）。
−
−
此时+V 为+15V，−− V 为—10V，计算可得驱动电流的峰值I =167mA
V V I
VV VV
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