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* 6.1 半导体 6.1.1 半导体的三个特性 6.1.2 PN 结 6.1.1 半导体的三个特性 导体:自然界中很容易导电的物质称为导体,金属一般都是导体,如铁、铜、铝等。 绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的导电机理不同于其它物质,其特点为: 当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。 6.1 半导体 1.热敏特性和光敏特性 HOME Ge Si 在绝对零度以下,本征半导体中无活跃载流子,不导电 用的最多的半导体是硅和锗,最外层电子(价电子)都是四个。 本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 形成共价键后,每个原子最外层电子是八个,构成稳定结构。 +4 +4 +4 +4 共价键结构 束缚电子 HOME 2.掺杂特性 在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体:在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素,如硼(或 铟)而形成,也称为(空穴半导体)。 N 型半导体:在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑) 而形成。也称为(电子半导体)。 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 N 型半导体中的载流子是什么? 自由电子为多数载流子(多子) 空穴称为少数载流子(少子) + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 自由电子为多子 空穴是多子 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - P 型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系,起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。 往纯净半导体中掺入某些杂质,会使其导电能力明显改变。 HOME P型半导体 N型半导体 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,空间电荷区越宽。 内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。 空间电荷区, 也称耗尽层。 1. PN 结的形成 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡,相当于两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的厚度固定不变。 HOME 6.1.2 PN 结 2 .PN结的单向导电性 PN 结外加正向电压: P 区接正、N 区接负电压 PN 结加上反向电压: P区加负、N 区加正电压 P N P N 内电场 外电场 变薄 结论:P N 结导通 内电场 外电场 变厚 结论:P N 结截止 HOME * *
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