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第十一章 气相沉积 11-1 物理气相沉积(PVD) 11-1-1 概 述 物理气相沉积(physical vapor deposition，简称 PVD)技术是一种对材料表面进行改性处理的气相合成技 术。 PVD的三大系列： 1963年Mattox提出了离子镀技术。 1965年IBM公司研制出射频溅射法。 1972年Bunshan发明活性反应蒸镀技术。 二十世纪80年代PVD沉积技术进一步完善并扩大应用范 围，在机械工业中作为一种新型的表面强化技术得到广泛 应用。 进入二十一世纪，PVD技术的应用对象不断扩大，沉积过程的低温化、复合化和多层化是其发展趋势。 蒸镀和溅射是物理气相沉积的两类基本镀膜技术。 以此为基础，又衍生出反应镀和离子镀。 反应镀在工艺和设备上变化不大，可以认为是蒸镀和溅射 的一种应用；而离子镀在技术上变化较大，所以通常将其 与蒸镀和溅射并列为另一类镀膜技术。 膜层的高洁净和膜厚的高精确是分子束外延的两大特点。 这使其不但适于镀制外延膜，还适于镀制超薄膜(膜厚 数十埃到数百埃)和超晶格膜(例如GaAs／GaAlAs超晶 格)。 蒸镀纯金属膜中，90%是铝膜。铝膜有广泛的用途。 在制镜工业中广泛采用蒸镀，以铝代银，节约贵重金属。 集成电路中先蒸镀铝进行金属化，然后再刻蚀出导线。 在聚酯薄膜上蒸镀铝具有多种用途，如制造小体积的电容 器、制作防止紫外线照射的食品软包装袋、经阳极氧化和 着色后即得色彩鲜艳的装饰膜等。 1．溅射的类型 (1) 直流二极溅射 被溅射靶(阴极)和成膜基片(阳极) 构成溅射装置的两个极。阴极上 接1?3 kV直流负高压，阳极接地。 阴极靶上的负高压在两极间产生辉 光放电并建立起一个等离子区，带 正电的氩离子在阴极附近的阴极电 位降作用下，加速轰击阴极靶，使 靶物质表面溅射，并以分子或原子 状态沉积在基片表面，形成靶材料 的薄膜。 (3) 射频溅射 为了避免干扰电台工作，溅射专用频率规定为13?56MHz。 在射频电源交变电场作用下，气体中的电子随之发生振荡，并使气体电离为等离子体。 射频溅射的两个电极，一个放置基片与机壳相连并且接地，相对于安装靶材的电极而言是一个大面积的电极，它的电位与等离子相近，几乎不受离子轰击。另一电极对于等离子体处于负电位是阴极，受到离子轰击，用于装置靶材。 射频溅射的缺点是大功率的射频电源不仅价高，对于人身防护也成问题。因此，射频溅射不适于工业生产应用。 (4) 磁控溅射 磁控溅射是在阴极靶面上建立一个环状磁靶，以控制二次电子的运动， 离子轰击靶面所产生的二次电子在阴极暗区被电场加速之后飞向阳极。 磁控溅射时，溅射气体(氩气)在环状磁场控制的区域发出强烈的淡蓝色 辉光，形成一个光环。处于光环下的靶材是被离子轰击最严重的部位，会溅射出一条环状的沟槽。 磁控溅射具有高速、低温、低损伤等优点，镀膜速率与二极溅射相比提高了一个数量级。 在工业生产中用矩形平面靶，用于镀制窗玻璃的隔热膜，让基片连续不断地由矩形靶下方通过，不但能镀制大面积的窗玻璃，还适于在成卷的聚酯带上镀制各种膜层。 磁控溅射靶的溅射沟槽一旦穿透靶材，就会导致整块靶材报废，所以靶材的利用率不高，一般低于40％，这是磁控溅射的主要缺点。 离子束溅射的优点：能够独立控制轰击离子的能量和束流 密度，并且基片不接触等离子体，有利于控制膜层质量。 此外，离子束溅射是在真空度比磁控溅射更高的条件下进 行的，这有利于降低膜层中杂质气体的含量。 离子束镀膜的缺点：镀膜速率太低，比磁控溅射低一个数量 级，只能达到0.01?m/min 左右，不适于镀制大面积工件，这限制了离子束溅射在工业生产中的应用。 2．溅射的用途 溅射薄膜按其不同的功能和应用可大致分为机械功能膜和 物理功能膜两大类。 机械功能膜：耐磨、减摩、耐热、抗蚀等表面强化薄膜材 料和固体润滑薄膜材料； 物理功能膜：电、磁、声、光等功能薄膜材料。 11-1-5 离子镀膜 离子镀是在镀膜的同时，采用带能离子轰击基片表面和膜层的镀膜技术。 离子轰击的目的在于改善膜层的性能，离子镀是镀膜与离子轰击改性同时进行的镀膜过程。 无论是蒸镀还是溅射都可以发展成为离子镀。 离子轰击对基片表面的清洗作用可以除去其污染层，另外 还能形成共混的过渡层。如果离子轰击的热效应足以使界 面处产生扩散层，形成冶金结合，则更有利于提高结合强 度。 离子轰击可以提高镀料原子在膜层表面的迁移率，有利于获