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》學技術
創造殺手級3D IC產品 CPU/記憶體堆疊勢在必行
3D IC系列
唐經洲
中央處理器(CPU)的記憶體使用量極高,且占據CPU近三分之二的面積,經常成為效
能、良率與測試的技術瓶頸;因此,若能利用矽穿孔(TSV)技術,將CPU與記憶體進行
堆疊,將可打造晶片間傳輸速度更快、雜訊更小且效能更佳的新一代三維晶片(3D
IC) 。
根據全球半導體聯盟(GSA)調查,記憶體在部分異質堆疊中是必要的元素。而中央處理
器(CPU)使用記憶體量最多,主因是CPU的快取(Cache)與暫存器(Register)皆為繞線
複雜度相當高的功能元件,從減輕繞線複雜度的角度觀之,此兩個區塊特別適用3D
IC 。
另外,因為快取記憶體介於CPU與主記憶體之間,其速度亦需相當快,記憶體面積也經
常占據CPU近三分之二的面積(圖1) 。在此種情形下,無論效能、良率或測試均為CPU
的技術瓶頸,可稱之為記憶體的設計障礙(Memory Wall) 。這個現象等同於一個都市內
的車子越來越快,住家與辦公大樓也越來越豪華,惟都市的街道卻無法滿足這兩者之間
的快速運輸量。
.tw/article_print.asp?sn=1201130015 2012/2/3
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圖1 Itanium 2 MPU內部各功能區塊的分布情形 資料來源: Intel
快取扮演CPU與記憶體緩衝器角色
將Cache音譯成快取,自然是考慮到它將記憶體階層中下一層的存取速度提升到它的存
取速度。快取記憶體是使用者透通 (User-transparent)的快速記憶體,用以當作CPU
和主記憶體的緩衝器,主要是利用程式的區域性特質記錄程式常用的資料及指令。
圖2是快取記憶體管理系統的示意圖。快取記憶體放在CPU與主記憶體之間,當CPU要
讀取主記憶體資料或寫入資料到主記憶體,會先檢查資料是否早已放在快取記憶體,若
有,則從快取記憶體存取資料;若無,則再想辦法從主記憶體拿取資料。由於快取記憶
體係由靜態隨機存取記憶體 (SRAM)組成,所以其存取資料的速度可較由動態隨機存取
記憶體(DRAM)組成的主記憶體快。
圖2 快取記憶體管理系統
簡言之,快取原理乃是利用程式區域性與動態重置性,讓使用者感覺擁有如下一層
DRAM同樣的大容量,且像快取記憶體般快的記憶體系統。雖然80x86及其他大多數的
微處理器系統中,快取係指介於主記憶體與暫存器之間的層次,但快取原理卻可應用在
整個電腦記憶體系統中的任兩個層次之間。這裡所謂的快取記憶體,在L1當然大部分是
暫存器, L2則為SRAM ,現僅特別針對記憶體與CPU的堆疊整合提出說明。
SoC面臨異質製程整合挑戰
過去的SoC目標係將各獨立的IC整合,透過SoC可減少面積與封裝需求,並提高其可靠
度。然不幸的是,以一顆消費性或汽車電子的SoC而言,其可能要將邏輯電路、類比電
路、快閃記憶體等整合,但其製程與設計的整合太多,代價亦太高,電路效能不一定
好。英特爾(Intel)也早就指出若使用三個製程於一個大晶片,製程增加的費用係三倍。
此論點,美國賓夕法尼亞州立大學(PSU)的教授謝源亦有提到。此因當晶片所需要的製
程
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