部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应.pdfVIP

第 26 卷 　第 2 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol. 26 　No. 2 2005 年 2 月 　　 CHIN ESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 　　Feb. ,2005 部分耗尽型注氟 SIMOX 器件的电离辐射效应 1 1 1 1 1 2 2 2 李 　宁 　张国强 　刘忠立 　范 　楷 　郑中山 　林 　青 　张正选 　林成鲁 ( 1 中国科学院半导体研究所, 北京　100083) (2 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 上海　200050) ( ) 摘要 : 采用在 SIMOX 圆片埋氧层中注入氟 F 离子的方法改善 SIMOX 的抗总剂量辐射能力 ,通过比较未注 F 样 品和注 F 样品辐照前后 SIMOX 器件 I ds Vgs特性和阈值电压 ,发现 F 具有抑制辐射感生 pMOSFET 和 nMOSFET 阈值电压漂移的能力 ,并且可以减小 nMOSFET 中由辐照所产生的漏电流. 说明在 SOI 材料中前后 Si/ SiO2 界面处 的 F 可以减少空穴陷阱密度 ,有助于提高 SIMOX 的抗总剂量辐射能力. 关键词 : SIMOX ; 氟 ; 总剂量辐射 PACC : 6170 T ; 8140 ; 0750 ; 0260 中图分类号: TN386 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : (2005) 行研究. 我们在部分耗尽的 MOSFET/ SIMOX 上采 1 　引言 用注 F 离子的方法来改善其抗辐照性能 , 实验表 自从SOI 诞生以来 ,其优秀的绝缘特性和抗辐 明 ,注 F 的部分耗尽型 MOSFET/ SIMOX 的抗辐照 照能力吸引了众多研究小组的关注. 近十年来 , 以离 加固特性得到明显改善. 子注入形成的 SIMOX 材料由于成本低和工艺相对 2 　原理 简单而得到迅速的发展. 现在 SOI 材料不论在军用 还是在民用方面都得到了广泛的应用. 以 SOI 来替 在 MOS 器件中 ,Si 和 SiO2 的界面处存在大量 代 Si 材料制造大规模集成电路在技术上已经没有 的空穴陷阱. 一般认为这是由于在 Si/ SiO2 的界面 很大障碍. 附近存在着 Si —O —Si 的应变键 ,其键角已发生改 尽管 SOI 材料由于其特殊的结构在抗瞬态辐 变而不是 144°了. 这些键很容易由于电离辐射而发 照和单粒子效应上有很大的优势 ,但其抗总剂量辐 生断裂 ,形成非桥键氧和三价硅. 其中三价硅是施主 射损伤的能力与体 Si 材料相比并没有显著的提高. 型缺陷 ,且固定不动 ,而非桥键氧将会在截面的应变 这是由于在制成的 SOI 器件中 ,SOI 结构存在两个 梯度作用下移向 Si/ SiO2 界面. ( ( ) ) γ Si/ SiO2 界面 顶硅/ BOX 埋氧层 和衬底硅/ BOX , 当 射线穿过 MOS 器件时 , 电离辐射将会被 Si 这会使其抗总剂量辐照能力有所下降 , 尤其是用 和 SiO2 吸收产生电子空穴对 ,同时也使 Si