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NPN型达林顿晶体管
江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片 文件编号 XS-J-083
W2XN972A
版 本 号 16-A1-04
NPN 型达林顿晶体管 页 码 1/2
1 主要用途及主要特点
1.1 主要用途
W2XN972A 封装的成品管，主要用于小信号的功率放大电路中。
1.2 主要特点
高温特性好
共发射极正向电流传输比h 大
FE
反向漏电小
2 芯片数据
芯片示意图 芯片尺寸（mm×mm） 0.65×0.65
芯片厚度（µm） 220±20
*
划片道尺寸（µm） 60
键合区面积 基 区 115×130
2
(µm ) 发射区 150×140
钝化层 Si N
3 4
金属 铝
正面电极
厚度（µm） 4.0±0.6
背面电极 金属 锡银
硅片直径（㎜） φ125
装片要求 （推荐） 低温共晶
铜丝；E 区：φ42 μm，两根；
键合要求 （推荐）
B 区：φ42 μm，一根；
* 划片道位置示意图：
3 电特性(在推荐的封装形式、适当的封装条件下)
3.1 极限值
除非另有规定，T = 25℃
amb
参 数 名 称 符号 额定值 单位 备注
集电极-基 极电压 VCB0 80 V 推荐封装形式：SOT-23
集电极-发射极电压 VCE0 60 V 推荐成品型号：BCV47
发射极-基 极电压 VEB0
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