第2章微电子IC制造材料最新.pptVIP

人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * N型半导体中的能带 价 带(满) 导 带(空) 能 隙 较 小 杂质能级 2.1 集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.4 双极型晶体管基本结构与工作原理 2.5 MOS晶体管基本结构与工作原理 2.3.1 PN结的扩散与漂移 由于两种半导体内带电粒子的正、负电荷相等，所以半导体内呈电中性。 扩散运动 由于PN结交界面两边的载流子浓度有很大的差别，载 流子就要从浓度大的区域向浓度小的区域扩散：P区中 的空穴向N区扩散，在P区中留下带负电荷的受主杂质离 子；而N区中的电子向P区扩散，在N区中留下带正电荷 的施主杂质离子。在紧靠接触面两边形成了数值相等、 符号相反的一层很薄的空间电荷区，称为耗尽层，这就 是PN结。 在耗尽区中正负离子形成了一个电场ε，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区的。这个电场一方面阻止扩散运动的继续进行，另一方面，将产生漂移运动，即进入空间电荷区的空穴在内建电场ε作用下向P区漂移，自由电子向N区漂移。漂移运动和扩散运动方向相反。动态平衡时，扩散电流和漂移电流大小相等、方向相反，流过PN结的总电流为零。 图2.3 平衡状态下的 PN结 扩散：浓度差 漂移：电场 内建场阻止电子和空穴进一步扩散 内建场大到一定程度,不再有净电荷的流动，达到了新的平衡。 在ｐ型 n型交界面附近形成的这种特殊结构称为PN结 导带的底能级表示为Ec 价带的顶能级表示为Ev 本征费米能级Ei P-N结处存在电势差Uo 也阻止 N区带负电的电子进一步向P区扩散。 它阻止 P区带正电的空穴进一步向N区扩散； U0 电子能级 电势曲线 电子电势能曲线 PN结 考虑到P-Ｎ结的存在，在讨论半导体中电子的能量时候应考虑进这内建场带来的电子附加势能。 电子的能带出现弯曲现象。 导带 导带 PN结 施主能级 受主能级 价带 价带 2.3.2 PN结型二极管 (a) (b) (c) 图2.4 PN结二极管原理性结构(a) 符号(b)与I-V特性曲线(c) VD为结压降，q为电子电荷，k为波尔茨曼常数，T为绝对温度。 PN结电学特性 零偏压 PN结两端不加偏压时称为零偏压情况 零偏压时，P区和N区杂质费米能级持平，电子占据水平相当，没有载流子流动，处于平衡状态。 正向偏压 在PN结的p型区接电源正极，叫正向偏压。 外加电场与内建场方向相反，PN结总的电场减弱，阻挡层势垒被削弱、变窄，有利于空穴向N区运动，电子向P区运动，形成正向电流。 p型 n型 I 从能带角度来说阻挡层势垒被削弱，阻挡层的总电场强度降低，PN结两端的能带弯曲变小。N区的费米能级高于P区的费米能级，电子和空穴容易获得足够的能量越过势垒区到达对方区域。从而有电流流过势垒区。 反向偏压 p型 n型 I 在PN结的p型区接电源负极，叫反向偏压。 外加电场与内建场方向相相同，阻挡层势垒被加强、变宽，阻碍了空穴向N区运动，也阻碍了电子向P区运动，只有反向漏电流流过。 从能带角度来说阻挡层势垒被加强，阻挡层的总电场强度增大，PN结两端的能带弯曲变大。P区的费米能级高于N区的费米能级，电子和空穴不能越过势垒区到达对方区域。只有漏电流流过势垒区。 2.3.3 肖特基结二极管 图2.5 金属与半导体接触 金属与掺杂半导体接触形成的肖特基二极管的工作原理 基于GaAs和InP的MESFET和HEMT器件中，其金属栅极与沟道材料之间形成的结就属于肖特基结。因此，它们的等效电路中通常至少包含栅-源和栅-漏两个肖特基结二极管。 在半导体器件与集成电路制造过程中，半导体元器件引出电极与半导体材料的接触也是一种金属-半导体结。但是我们希望这些结具有双向低欧姆电阻值的导电特性，也就是说，这些结应当是欧姆型接触，或者说，这里不应存在阻挡载流子运动的“结”。工程中，这种欧姆接触通过对接触区半导体的重掺杂来实现。理论根据是：通过对半导体材料重掺杂，使集中于半导体一侧的结（金属中有更大量的自由电子）变得如此之薄，以至于载流子可以容易地利用量子隧穿效应相对自由地传输。 2.3.4 欧姆型接触 2.1 集成电路材料 2.2 半导体基础知识 2.3 PN结与结型二极管 2.