第3章点缺陷、位错的基本类型和特征_材料科学基础最新.pptVIP

* 5. 面心立方晶体中的位错 扩展层错：通常把一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态称为扩展位错。 3.2 位错 * 6. 其它晶体中的位错 体心立方晶体中的位错 BCC晶体中全位错的柏氏矢量为 ，其滑移面有{110}，{112}和{123}三类。而3个{110}，3个{112}和6个{123}面交于同一个111方向。 Shockley分位错和扩展位错：在（112）面上的柏氏矢量为 的全位错可能分解为柏氏矢量为 和 的两个Shockley分位错，中间夹着一条内禀层错带，形成扩展位错。 3.2 位错 * 6. 其它晶体中的位错 密排六方晶体中的位错： HCP晶体中全位错的柏氏矢量一般是 其滑移面多为（0001）（基面） Shockley不全位错和扩展位错：全位错往往分解为两个柏氏矢量为 的Shockley分位错，中间夹着一条扩展位错。 Frank不全位错：和FCC晶体相似，在HCP晶体中过饱和空位或间隙原子的择优聚集和塌陷也会形成Frank位错环，但情况要比FCC更复杂。 3.2 位错 * 6. 其它晶体中的位错 离子晶体中的位错： 滑移面未必是最密排面，但柏氏矢量仍为最短的点阵矢量。 刃型位错的附加半原子面实际上是包括两个互补的附加半原子面。在位错露头处具有有效电荷。 刃型位错在滑移面上滑移时沿着位错线，没有离子和电荷的移动，因而位错露头出的有效电荷不改变符号，且弯折处没有有效电荷。但割阶处是正离子空位，故具有负的有效电荷。 3.2 位错 * 6. 其它晶体中的位错 金刚石晶体中的位错 共价键因为其方向性和局域性而使得晶体的微观对称性下降，这对于位错的特性有较大的影响。 易滑的位错称为滑动型位错，不易滑的位错称为拖动型位错。 高分子晶体中的位错 聚合物晶体结构的特点是，在分子链轴方向具有很强的共价键，而在横向则是很弱的范德瓦尔斯力，因此重要的位错都沿链轴方向。 3.2 位错 * 3.3 表面及界面 界面通常包含几个原子层厚的区域，该区域内的原子排列甚至化学成分往往不同于晶体内部，又因它是二维结构分布，故也称为晶体的面缺陷。 界面的存在对晶体的力学、物理和化学等性能产生重要的影响。 第 三 章 晶体缺陷 * 3.3.1 外表面 在晶体表面上，原子配位数与晶内不同，表面原子会偏离其正常的平衡位置，并影响到邻近的几层原子，造成表层的点阵畸变，使它们的能量比内部原子高，这几层高能量的原子层称为表面。晶体表面单位面积自由能的增加称为表面能 （J/m2）。表面能也可理解为产生单位面积新表面所作的功。 表面能与晶体表面原子排列致密程度有关，原子密排的表面具有最小的表面能。所以自由晶体暴露在外的表面通常是低表面能的原子密排晶面。 3.3 表面及界面 * 3.3.2 晶界和亚晶界 晶界和亚晶界：属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面称为晶界，它是一种内界面；而每个晶粒有时又由若干个位向稍有差异的亚晶粒所组成，相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。晶粒的平均直径通常在0.015-0.25 mm范围内，而亚晶粒的平均直径则通常为0.001mm数量级。 3.3 表面及界面 * 3.3.2 晶界和亚晶界 晶界分类：根据相邻晶粒之间位向差的大小不同可将晶界分为两类： ① 小角度晶界：相邻晶粒的位向差小于10o 晶界；亚晶界均属小角度晶界，一般小于2o ； ② 大角度晶界：相邻晶粒的位向差大于10o 晶界，多晶体中90％以上的晶界属于此类。 小角度晶界的结构：小角度晶界可分为倾斜晶界、扭转晶界和重合晶界等。它们的结构可用相应的模型来描述。 3.3 表面及界面 * 对称倾斜晶界：晶界的界面对于两个晶粒成对称关系。其晶界可看成是由一列平行的刃型位错所构成。 不对称倾斜晶界：倾斜晶界的界面绕x轴转了一角度φ ，此时晶界的界面对于两个晶粒是不对称的，它有两个自由度θ 和φ 。该晶界可看成由两组柏氏矢量相互垂直的刃位错交错排列而构成。 3.3 表面及界面 * 扭转晶界：可看成是两部分晶体绕某一轴在一个共同的晶面上相对扭转一个 q角所构成的，扭转轴垂直于这一共同的晶面。 3.3 表面及界面 * 大角度晶界的结构：多晶体材料中各晶粒之间的晶界通常为大角度晶界。大角度晶界的结构复杂，不能用位错模型来描述。晶界可看成坏区与好区交替相间组合而成。随着位向差的增大，坏区的面积将相应增加。纯金属中大角度晶界的宽度一般不超过3个原子间距。 3.3 表面及界面 * 晶界能：晶界能定义为形成单位面积界面时，系统的自由能变