第3章晶体管直流特性最新.ppt

* 电子器件基础 晶体管直流特性 第5节 晶体管基极电阻 晶体管的基极电流 IB 的方向平行于结平面， IB 是横向的多数载流子电流；基区薄，Wb小，NB不高，基区存在一定的电阻——基极电阻 rb * 电子器件基础 晶体管直流特性 基极电阻的特性 基极电流流过基区时，在rb上产生平行于发射结结面的横向压降，引起发射结中间部分区域正向偏压减小，电流减小，而发射结边缘电流较大——发射结电流集边效应； 晶体管交流运用时， rb将产生电压反馈，因而影响晶体管的频率特性和功率特性； * 电子器件基础 晶体管直流特性 流过rb的基极电流是不均匀的，其产生的压降也不均匀，则rb一般用平均压降与平均电流的比值来表示； rb主要决定于晶体管的图形、尺寸和基区方块电阻； 晶体管设计时要尽可能减小晶体管的基极电阻。 基极电阻的特性 * 电子器件基础 晶体管直流特性 1 梳状晶体管基极电阻 双基极单发射极结构，两边基区完全对称，只要分析一边的基极电阻，总电阻是它的并联。 一边基极电阻组成： 发射区下面基区的电阻 rb1， 发射极与基极间的基区电阻 rb2， 基极金属电极下面部分的基区电阻 rb3， 基极金属电极与半导体的欧姆接触电阻 Rcom RCON * 电子器件基础 晶体管直流特性 基极流入的空穴电流，在发射区下面的基区中逐渐与发射区注入到基区的电子复合，基极电流逐渐减小； 设基极电流线性减小，发射区边缘为 IB /2，中间为零。 由三角形比例关系： * 电子器件基础 晶体管直流特性 x 处 dx 间隔的压降： 利用边界条件VB(0)=0，求积分得： 则 0 — Se /2 的基区平均压降： * 电子器件基础 晶体管直流特性 发射极与基极间的基极电流是均匀的，可直接得出： RCON * 电子器件基础 晶体管直流特性 一般梳状晶体管由许多小单元组成，单发射极和双基极结构是一个小单元，小单元内两侧基极宽度应只取Sb/2。 金属与半导体的欧姆接触电阻： Rc：欧姆接触系数 RCON 这部分的基极电流也是变化的，计算方法和rb1相同得： * 电子器件基础 晶体管直流特性 梳状晶体管一个小单元的基极电阻为： n 个小单元组成的梳状晶体管总基极电阻为： * 电子器件基础 晶体管直流特性 2 圆形晶体管基极电阻 发射区下面基区的电阻、发射极与基极间的基区电阻和基极金属电极与半导体的欧姆接触电阻之和。 对如图坐标，用平均功率法可求得基极电阻： * 第3章习题 第1、5、8、9题 电子器件基础 晶体管直流特性 * 电子器件基础 晶体管直流特性 思考题 在分析晶体管直流特性时作了哪些假设？ 缓变基区中基区自建电场是如何形成的？ 如何提高晶体管的电流放大系数？ 发射区重掺杂对电流放大系数有何影响？ 发射区空间电荷区复合对电流放大系数有何影响？ 表面复合对电流放大系数有何影响？ 什么是基区宽变效应？其对电流放大系数有何影响？ 如何判别晶体管的基区穿通？ * 电子器件基础 晶体管直流特性 谢 谢！ 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * 电子器件基础 晶体管的直流特性 表面复合 　　在上节讨论基区输运系数时，我们只考虑基区输运系 数受体内复合损失的影响，实际上注入基区少子一部分要 流到基区表面，在基区表面复合，形成表面复合电流 ISB， 到达集电极的载流子减少，基区输运系数下降。 考虑表面复合后，基区输运系数为： * 电子器件基础 晶体管的直流特性 对缓变基区晶体管： 表面复合主要取决于表面状态，在半导体表面必须有良好的保护； 由于Si-SiO2界面存在界面态，使表面复合速度加大； 基区浓度大，基区宽度大，表面复合严重。 基区输运系数： * 电子器件基础 晶体管的直流特性 基区宽度调变效应（Early效应） 晶体管放大工作，发射结正偏，结电压变化不大，近似认为发射结空间电荷区宽度xme不变。而集电结反向偏压VCE增加时，集电结空间电荷区宽度xmc增加，有一部分向基区扩展，使有效基区宽度Wb减小，电流放大系数 β 增大。 + N N P xme xmc */149 N+ P N Wb* Wb Vcb ? Wb* ? dnb/dx