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光纤通信ch6
第六章 光检测器; 光电检测器能检测出入射在其上面的光功率,并完成光/电信号的转换。对光检测器的基本要求是:
① 在系统的工作波长上具有足够高的响应度,即对一定的入射光功率,能够输出尽可能大的光电流;
② 具有足够快的响应速度,能够适用于高速或宽带系统;
③ 具有尽可能低的噪声,以降低器件本身对信号的影响;
④ 具有良好的线性关系,以保证信号转换过程中的不失真;
⑤ 具有较小的体积、较长的工作寿命等。
目前常用的半导体光电检测器有两种,PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管。;
;光电二极管的工作原理;6.1.1 PIN光电二极管
由于受激吸收仅仅发生在PN结附近,远离PN结的地方没有电场存在,因此就决定了PN光电二极管(PN Photodiode,PNPD)或PN光电检测器的光电变换效率非常低下及响应速度很慢。
1. PIN光电二极管的结构
PIN光电二极管(PINPD)的结构如图6.2所示。;图6.2 PIN光电二极管的结构; PIN光电二极管是在掺杂浓度很高的P型、N型半导体之间,加一层轻掺杂的N型材料,称为I(Intrinsic,本征的)层。由于是轻掺杂,电子浓度很低,经扩散后形成一个很宽的耗尽层,如图6.3(a)所示。这样可以提高其响应速度和转换效率。结构示意图如图6.3(b)所示。;外加反向偏置电压的pin 光电二极管的电路示意图;pin 光电二极管的能带简图,能量大于或等于带隙能量Eg的光子将激励价带上的电子吸收光子的能量而跃迁到导带上,可以产生自由电子-空穴对(称为光生载流子)。耗尽区的高电场使得电子-空穴对立即分开并在反向偏置的结区中向两端流动,然后在边界处被吸收,从而在外电路中形成电流。;;;不同材料吸收系数与波长的关系;例6.1 有一个光电二极管是由GaAs材料组成的,在300k时其带隙能量为1.43eV,其截止波长为:;如果耗尽区宽度为w,在距离w内吸收光功率为:;6.1.2 雪崩光电二极管(APD)
1. 雪崩倍增原理
APD可以对初级光电流进行内部放大,以增加接收机的灵敏度。由于要实现电流放大作用,光生载流子需要穿过很高的电场,以获得很高的能量。光生载流子在其耗尽区(高场区)内的碰撞电离效应激发出新的电子-空穴对,新产生的载流子通过电场加速,导致更多的碰撞电离产生,从而获得光生电流的雪崩倍增。
;雪崩二极管 (APD);工作过程;图6.4 APD的结构;拉通型雪崩光电二极管(RAPD)采用 结构,其结构示意图和电场分布如图6.5所示。图6.5(a)所示的是纵向剖面的结构示意图。图6.5(b)所示的是将纵向剖面顺时针转90°的示意图。图6.5(c)所示的是它的电场强度随位置变化的分布图。; 保护环型在制作时淀积一层环形N型材料,以防止在高反压时使P-N结边缘产生雪崩击穿。
APD随使用的材料不同有几种:Si-APD(工作在短波长区);Ge-APD和InGaAs-APD(工作在长波长区)等。 ;6.2 光电检测器的特性指标;2. 量子效率
响应度是器件在外部电路中呈现的宏观灵敏特性,而量子效率是器件在内部呈现的微观灵敏特性。量子效率定义为通过结区的载流子数与入射的光子数之比,常用符号η表示:; 式中:e是电子电荷,其值约为1.6×10-19G;ν为光频。η与ρ关系可以表示为:; 式中:h是普朗克常数,c是光在真空中的速度,λ是光电检测器的工作波长。代入相应数值后,可以得到:
从上式可以看出:在工作波长一定时,η与ρ具有定量的关系。;;;3. 响应速度
光电二极管的响应速度是指它的光电转换速度。它取决于以下三个因素:
1、耗尽区的光载流子的渡越时间;
2、耗尽区外产生的光载流子的扩散时间;
3、光电二极管以及与其相关的电路的RC时间常数。
影响这三个因素的参数有:耗尽区宽度w、吸收系数as、等效电容、等效电阻等。
;一般在耗尽区高电场的情况下,光生载流子可以达到散射的极限速度。
例如:耗尽层为10 mm的Si光电二极管
电场强度:20000 V/cm
电子最大速度:8.4 x 106 cm/s
空穴最大速度:4.4 x 106 cm/s
极限响应时间:~0.1 ns;光载流子扩散时间;当检测器受到阶跃光脉冲照射时,响应时间可使用输出脉冲的上升时间tr和下降tf 时间来表示。
在理想情况下tr = tf,但是由于非全耗尽性中载流子扩散速度远小于漂移速度,使得tr≠tf,造成脉冲不对称。;;光电二极管脉冲响应;带宽;4. APD的倍增因子
APD的电流增益,即平均倍增因子M可表示为:
式中:Ip为
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