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第六章 光检测器; 光电检测器能检测出入射在其上面的光功率，并完成光/电信号的转换。对光检测器的基本要求是： ① 在系统的工作波长上具有足够高的响应度，即对一定的入射光功率，能够输出尽可能大的光电流； ② 具有足够快的响应速度，能够适用于高速或宽带系统； ③ 具有尽可能低的噪声，以降低器件本身对信号的影响； ④ 具有良好的线性关系，以保证信号转换过程中的不失真； ⑤ 具有较小的体积、较长的工作寿命等。 目前常用的半导体光电检测器有两种，PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管。; ;光电二极管的工作原理;6.1.1 PIN光电二极管 由于受激吸收仅仅发生在PN结附近，远离PN结的地方没有电场存在，因此就决定了PN光电二极管(PN Photodiode，PNPD)或PN光电检测器的光电变换效率非常低下及响应速度很慢。 1. PIN光电二极管的结构 PIN光电二极管(PINPD)的结构如图6.2所示。;图6.2 PIN光电二极管的结构; PIN光电二极管是在掺杂浓度很高的P型、N型半导体之间，加一层轻掺杂的N型材料，称为I（Intrinsic，本征的）层。由于是轻掺杂，电子浓度很低，经扩散后形成一个很宽的耗尽层，如图6.3（a）所示。这样可以提高其响应速度和转换效率。结构示意图如图6.3（b）所示。;外加反向偏置电压的pin 光电二极管的电路示意图;pin 光电二极管的能带简图，能量大于或等于带隙能量Eg的光子将激励价带上的电子吸收光子的能量而跃迁到导带上，可以产生自由电子-空穴对（称为光生载流子）。耗尽区的高电场使得电子-空穴对立即分开并在反向偏置的结区中向两端流动，然后在边界处被吸收，从而在外电路中形成电流。;;;不同材料吸收系数与波长的关系;例6.1 有一个光电二极管是由GaAs材料组成的，在300k时其带隙能量为1.43eV，其截止波长为：;如果耗尽区宽度为w，在距离w内吸收光功率为：;6.1.2 雪崩光电二极管（APD） 1. 雪崩倍增原理 APD可以对初级光电流进行内部放大，以增加接收机的灵敏度。由于要实现电流放大作用，光生载流子需要穿过很高的电场，以获得很高的能量。光生载流子在其耗尽区(高场区)内的碰撞电离效应激发出新的电子-空穴对，新产生的载流子通过电场加速，导致更多的碰撞电离产生，从而获得光生电流的雪崩倍增。 ;雪崩二极管 (APD);工作过程;图6.4 APD的结构;拉通型雪崩光电二极管（RAPD）采用 结构，其结构示意图和电场分布如图6.5所示。图6.5（a）所示的是纵向剖面的结构示意图。图6.5（b）所示的是将纵向剖面顺时针转90°的示意图。图6.5（c）所示的是它的电场强度随位置变化的分布图。; 保护环型在制作时淀积一层环形N型材料，以防止在高反压时使P-N结边缘产生雪崩击穿。 APD随使用的材料不同有几种：Si-APD（工作在短波长区）；Ge-APD和InGaAs-APD（工作在长波长区）等。 ;6.2 光电检测器的特性指标;2. 量子效率 响应度是器件在外部电路中呈现的宏观灵敏特性，而量子效率是器件在内部呈现的微观灵敏特性。量子效率定义为通过结区的载流子数与入射的光子数之比，常用符号η表示：; 式中：e是电子电荷，其值约为1.6×10-19G；ν为光频。η与ρ关系可以表示为：; 式中：h是普朗克常数，c是光在真空中的速度,λ是光电检测器的工作波长。代入相应数值后，可以得到： 从上式可以看出：在工作波长一定时，η与ρ具有定量的关系。;;;3. 响应速度 光电二极管的响应速度是指它的光电转换速度。它取决于以下三个因素： 1、耗尽区的光载流子的渡越时间； 2、耗尽区外产生的光载流子的扩散时间； 3、光电二极管以及与其相关的电路的RC时间常数。 影响这三个因素的参数有：耗尽区宽度w、吸收系数as、等效电容、等效电阻等。 ;一般在耗尽区高电场的情况下，光生载流子可以达到散射的极限速度。 例如：耗尽层为10 mm的Si光电二极管 电场强度：20000 V/cm 电子最大速度：8.4 x 106 cm/s 空穴最大速度：4.4 x 106 cm/s 极限响应时间：~0.1 ns;光载流子扩散时间;当检测器受到阶跃光脉冲照射时，响应时间可使用输出脉冲的上升时间tr和下降tf 时间来表示。 在理想情况下tr = tf，但是由于非全耗尽性中载流子扩散速度远小于漂移速度，使得tr≠tf，造成脉冲不对称。;;光电二极管脉冲响应;带宽;4. APD的倍增因子 APD的电流增益，即平均倍增因子M可表示为： 式中：Ip为