场效应管(FET)医.pptVIP

场效应管 Field Effect Transistor;1.基本知识概述 2.分类、命名、标识、结构 3.制程及工艺 4.基本特性 5.应用 6.常见失效模式及案例分析 7.Derating标准及其测试方法;1.1 MOSFET的基本知识;1.1.1概述 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。这种器件不仅兼有体积小、重量轻、耗电省、封装外型脚数少、散热好、寿命长等特点，而且还有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单,存在零温度系数工作点等优点，因而大大地扩展了它的应用范围，特别是在大规模和超大规模集成电路得到了广泛的应用。 根据结构的不同，场效应管可分为两大类：结型场效应管（JFET）和金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）。 ; 然而由于场效应管输入阻抗很高，栅极的感应电荷不易泻放，且二氧化硅绝缘层很薄，栅极与衬底间的等效电容很小感应产生的少量电荷即可形成很高的电压，容易击穿二氧化硅绝缘层而损坏管子。存放管子时应将栅极和源极短接在一起，避免栅极悬空。进行焊接时烙铁外壳应接地良好，防止因烙铁漏电而将管子击穿。 本文从场效应管的结构、特性出发，阐述其工作原理、应用、失效条件、以及 Derating 测试参数、测试方法。;2.1. 分类、命名、标识、结构; 2.1.1按结构分，有两类 1. 结型JFET (Junction type Field Effect Transistor) 利用半导体内的电场效应进行工作，也称为体内场效应器件。 ;;3.1 相关制程及工艺;一、半导体制造技术从大的方面可以分为： 设计 芯片工艺 封装工序 具体制造流程如下： 完成功能设计和电路设计以后，用图形化的掩模版图在硅基片上形成该图形（常称图形转移），由氧化、扩散、光刻、腐蚀、离子注入、CVD（Chemical Vapor Deposition 化学气相沈淀）和金属化等技术的组合，形成硅片工序，从而制成LSI芯片。然后，经过划片、装配、键合和塑封（或壳装）等组装工序并作封闭检验之后，硅LSI就完成了。;制造工艺流程图;掺杂; 从工作任务来分，可以将芯片工艺归纳为掺杂、图形生成和薄膜生成三类： 1、掺杂依靠扩散或离子注入实现，它是通过控制进入硅基片的杂质类型、浓度、进入区域等因素以形成元件和正常工作的器件的基本工艺。 2、图形生成是为了进行选择性元件形成和配置、元件隔离、元件间布线的图形加工技术。包含光刻和腐蚀技术。 3、薄膜的生成除了形成硅表面保护膜、开头控制栅膜、层间绝缘膜、元件间隔离等的热氧化膜的氧化之外，还包括形成氮化硅膜、多晶硅膜的CVD、金属布线用的金属溅射等。 这些基本工艺间的关系是，将光刻、腐蚀多次插入循环往复地进行着的扩散、离子注入、氧化、CVD和溅射等工序之间。;二、工序简介 ;扩散：指杂质从浓度高处向低处流动（扩散）所引起的现象。扩散由杂质、温度、物质决定的扩散系数来规定。一般，硅片工艺中作为掺杂原子的常用磷（P）、砷（As）、硼（B）。向硅片扩散磷、砷杂质时，可使硅片成为n型，而扩散硼质质时，将成为p型。;三、关键原材料检验规程简介;金丝 1、外观 2、抗拉强度 判定标准： 1、金丝粗细均匀，不应有凹凸点. 2、金丝表面干净无污物,无霉点. 3、金丝绕线紧凑,排列整齐、无松动，出线顺畅。 4、在压焊机上进行压焊，金丝承受的拉力应符合：(φ20μm金丝：≥23mN)、(Φ23、25.4μm金丝：≥29mN)、(Φ30μm金丝：≥39mN)、(Φ50μm金丝：≥100mN);塑料 1、型号、产地、贮存期2、工艺试用 判定标准： 1、型号、产地与材料清单相符，且