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MOSFET IC 使用盲点与对策 Power MOSFET IC 主要应用在功率电路终端输出段，由于使用上必需面对各种严苛的动作要求与环境 考验，因此 MOSFET IC 经常在使用中遭到破坏，有鉴于此本文要探讨有关 Power MOSFET IC 使用上的盲 点与破坏机制，同时介绍各种对策技巧避免组件产生发热、损毁问题。 Power MOSFET 的破坏模式 表 1 是 MOSFET IC 应用领域与破坏模式一览。Power MOSFET 的破坏模式可分为五大类，分别是: ⑴. 溃散(Avalcache)破坏模式(又称为过电压破坏模式) 当电洞(surge) 电压超过组件最大定额电压VDSS 时，电洞电压会流到 drain 与 source 之间，严重时甚至 会进入降伏电压 V(BR)DSS 领域，当电洞电压累积一定能量(温度、电流、dv/dt)时，就会引发组件损坏等 后果。 ⑵. ASO(Area of Safe Operation)破坏 ASO 破坏是指组件的最大定额 drain 电流ID ，超过 drain 与 source 之间的电压 VDSS 与容许 channel 损失 Pch 所造成的破坏而言。由于它是过电流、过电压与过电力，超越安全动作领域造成的破坏现象，因此 又称为发热要因破坏。 发热要因可分为连续性与过渡性两种，具体内容分别如下: •连续性发热 a.在活性领域(模拟动作) 以直流电力，或是一定的duty 施加连续脉冲电力时，极易造成组件发热现象。 b.ON 阻抗RDS(on)造成的损失(尤其是温升造成该损失超越容许散热电力容量时)也会引起组件发热。 c.drain 与 source 之间的漏电电流 IDSS 造成的损失(无冷却风扇封装高温动作的场合除外，一般而言它比 其它损失低) ，也会引起组件发热。 •过渡性发热 a.脉冲性过大电力(又称为 one shot 脉冲 ASO 破坏)也会造成组件发热现象。 b.负载短路造成过大电力(又称为负载短路 ASO 破坏)也会使组件出现发热现象，它与温度有依存性(与 温度有互动关系) 。 c.switching 损失(turn ON，turn OFF 时)造成的组件发热现象，它与动作频率有依存性。 d. 内建二极管(diode)逆回复时间 trr 造成的损失也会引起组件发热，它与温度、动作频率有依存关系。 ⑶. 内建二极管的破坏 它是指 Power MOSFET 内建的二极管电压逆回复时，造成Power MOSFET 的寄生双极性晶体管(bipolar transistor)动作，进而引发组件破坏现象而言。 (4). 寄生波动破坏现象 主要原因是寄生电感(inductance)(gate、source、负载 drain，与各电路连接之间的电感产生的现象)造成 波动性振动电压，进而引发正复归与 gate over shot 电压导致组件遭到破坏。 ⑸. 静电破坏(gate surge 造成的过电压) 它可分为外部电力对 Power MOSFET 的gate-source 之间，施加 surge 过电压造成 gate 过电压破坏现象； 以及人体、封装作业、量测设备等带静电物体，造成的gate ESD(Electro Static Discharge)破坏现象等两 大类。 由于实际上Power MOSFET 引发(trigger)的破坏原因错综复杂，因此必需根据用途与动作要求，针对这 些破坏模式进行事前分析，依此选择最适宜的组件才是根本解决对策，此外电路设计阶段，事前的电路定 数与封装细节检讨，也是非常重要的一环。 (a) 民生、产业用 ◎:重要项目，使用上必需考虑电路定数、组件特性、破坏特性等等 ○:需注意项目 (b)汽车产业用 表 1 MOSFET IC 应用领域与破坏模式一览 Avalcache 破坏与对策 所谓「Avalcache 破坏」是指诱导负载时，switching 动作 turn OFF 产生的 flyback 电压，或是drain 负 载的寄生电感产生的 spike 电压，超越Power MOSFET 的drain-source 额定电压，并进入损毁(breakdown) 领域导致组件发生破坏现象而言。 图 1 分别是测试