LPCVD多晶硅膜的制备和（ptSi—SBIRCCD）中的应用.PDFVIP

维普资讯 LPCVD多晶硅膜的制备和 在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件 (ptSi—SBIRCCD)中的应用 机械电子工业部第四寸四研究所 程开 富 摘要。本文介绍热壁低压化学汽相淀积 (LPCVD)制备 多晶硅膜的淀积变量，影 响膜层质量的因素。其次简述 了多晶硅膜的等 离子刻蚀情况噩其在硅化铂 肖特基势垒虹 外 电荷耦 合器件 (PtSt-SBIRCCD)研制 中的应用。 选用P型 (100的单晶硅片I电阻率为20~40Q ·cm，少子寿命大于2o s，为了提 高单晶硅 随着半导体技术和红外技术的发展，特别 片的完整性和器件性能，采用双重或多重吸除 是七十年代初期St-CCD和红外CCD [如：金 技术加工处理。 属硅化物 (Pd。Si、PtSi) 肖特基势垒单片式 温度 压力、SiHI浓 度和掺杂剂浓度在 红外CCD，非本征硅单片CCD等]的 问世， 多晶硅的淀积中是重要的工艺变量}基片的位 迫切要求提高多晶硅膜的质量。从国外大量文 置和负载尺寸只有很小舶影响 t【】3【】，圈】示 献报导可知，热壁LPCVD多晶硅膜均能 满足 出了当温度增加时淀积速率增大的情形。从斜 Si—CCD(如：硅表面沟道CCD和埋沟道CCD) 和Pd。Si、PtSi-SBIR~CD以及非本征硅单 ． 片式 红外CcD研制的要赫 关于热壁LPCVD 多晶硅膜的工艺情况已作了详细分析 [1】。本文 仅以PtSi-SBIRCCD为例，介绍多晶硅膜的 使用情况 以及影响多晶硅膜质量 的主要因素。 二、多晶硅膜的淀积变量 淀积多晶硅膜通常有两种低压工艺。--$p 是在 25～l$0Pa (0．2～1．0托)的压 力 下用 100％的硅烷 (Sill )，另一种工艺是用 同样的 ，口tt7jtK ’) 总压强，但用氮气或氲气稀 释的20~30 的 图 t 以不同的S埘 。分压 强淀r嘏多晶硅的 SiH。。二者淀积的多晶硅每炉达 5o~200片基 Aghenins标绘 [．‘ 片，不均匀性为5％，淀积速 率 为80~200A／ m in。 率算得激活能约为1．7eV (40kcal／oto1)，这 我们研制的PtSi—SBIRCCD，衬 底材料 比常压淀积获得的值略太些 14j。差 别 的产生 23 维普资讯 是由于反应产生的氢气的解吸的变亿及由于质 量传输和均匀反应的作用不同。热壁 LPCVD 苴l幕 一 的淀积温度限 于600~650℃之 间。温度较高 一 时，气相反应变得重要了，其结果产生一粗糙 的、附着疏松的淀积层，并且 Sil1．耗尽，结 扎 兰 一 果导致均匀性较差