低阻高透过率ITO薄膜的制备和性能.docxVIP

低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能王　刚　刘宏宇　赵　超　杨柏梁　黄锡珉摘　要　研究了直流磁控溅射法制备的ITO薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ITO薄膜光电特性的影响。在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的 ITO 薄膜，可见光透过率高于85%，在厚度为100nm时其方块电阻在150～200Ω/□之间, 并且ITO薄膜的制备工艺完全与AMLCD中TFT器件的制作工艺兼容。关键词　直流磁控溅射　衬底温度　溅射功率　方块电阻　透过率　真空退火Preparation and Characterization ofLow Resistance and High Transmittance ITO Films Wang Gang，Liu Hongyu， Zhao Chao ， Yang Bailiang， Huang Ximin(Changchun Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130021)(North Liquid Crystal Engineering Research and Development Center, Changchun 130021)(* Department of Electrical Engineering, Jilin University, Changchun, 130021)Abstract：In this paper, the optical and electrical properties of ITO films prepared by reactive D.C. magnetron sputtering dependent on various sputtering technology parameters are investigated. The influence on the optical-electrical properties of ITO films dependent on various oxygen partial pressures under vacuum annealed circumstance is also reported. We obtained high quality ITO films with appropriate sheet resistance of 150～200Ω/□(d=100nm)and transmittance of over 85% which are satisfied for AMLCD application at low substrate temperature and low sputtering power compatible with TFT devices preparation technology in AMLCD application.Key words：D.C.magnetron sputtering　substrate temperature 　sputtering power　sheet resistance　transmittance　vacuum annealing1　引言　　锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜是一种n型半导体材料，它具有较宽的带隙(3.5～4.3eV)，较高的载流子密度(1021cm-3)［1～4］。另外，ITO薄膜还具有许多其它优异的物理、化学性能，例如高的可见光透过率和电导率，与大部分衬底具有良好的附着性，较强的硬度以及良好的抗酸、碱及有机溶剂能力。因此，ITO薄膜被广泛应用于各种光电器件中，如LCDs、太阳能电池、能量转换窗口、固态传感器和CRTs。　　ITO薄膜的制备方法很多，常见的有喷涂法［1］、真空蒸发［2］、化学气相淀积［5、6］、反应离子注入［7］以及磁控溅射［8］等。在这些方法中，溅射法由于具有良好的可控性和易于获得大面积均匀的薄膜，而被广泛应用于显示器件中ITO薄膜的制备［9～14］。溅射法制备ITO薄膜主要是利用直流(D.C.)［4,9］和射频(R.F.)［8,11,12］电源在Ar-O2混合气体中产生等离子体，对In:Sn合金靶［4,9］或In2O3、SnO2氧化物靶或陶瓷靶［10～13］进行轰击，以便在各种衬底上获得ITO薄膜。当使用氧化物靶或陶瓷靶时也可以只在纯氩气中进行溅射。无论使用何种方法，制备工艺条件如靶中锡含量(靶浓度)、淀积速率、氧分压、衬底温度、溅射功率以及后退火处理都对ITO薄膜的光电特性有极大影响。优化这些工艺参数，可获得具有较高的电导率和可见光透过率的优质ITO薄膜。目前，在玻璃衬底上制备的ITO薄膜的电阻率和透过率分别可达