Si平面工艺探测器.PPTVIP

Si平面工艺探测器介绍 全耗尽MOS型FET探测器( DEMOSFET ) . 基本原理 Si平面工艺探测器介绍 全耗尽p沟道结型FET探测器 ( DEPJFET ) . 全耗尽 P 沟道结型 FET 的基本结构 @ 图(a) --- 带有侧面“遂穿”清除结，脉冲清除方式。 @ 图 ( b ) ---带有垂直“遂穿”清除结,脉冲或连续清除 方式。 Si平面工艺探测器介绍 全耗尽FET阵列探测器： Si平面工艺探测器介绍 全耗尽FET探测器( DEFET )的特点 ： 即是探测器也是放大器 . 极大地减小了影响串联噪声的电容。 门电极可以很小,增加了放大倍数也减小串联噪声。 用脉冲可完全清除内部电极的电荷,避免了残留电荷的统计涨落引起的噪声 . 信号电荷被限制在内部门电极的势阱中,可以进行重复多次读出 . 三、国内平面工艺Si探测器研制进展 国内平面工艺Si探测器研制进展 SiPIN探测器 用于X射线测量SiPIN探测器 单面多条探测器 像素探测器 基于平面工艺技术的50-80μm厚度的ΔE探测器 全耗尽SiPIN光电二极管 SDD探测器 按照探测器的结构和用途 SiPIN探测器 SiPIN探测器---用于X射线测量SiPIN探测器 厚度500μm， 5mm2、10mm2、25mm2、50mm2、100mm2SiPIN探测器 全耗尽电压时室温漏电