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压敏电阻器(VSR)(varistor; voltage-dependent resistor ) ——型号MY :
文字符号: “RV ”或“R ”
结构——根据半导体材料的非线性特性制成的。
特性——压敏电阻器的电压与电流不遵守欧姆定律,而成特殊的非线性关系。当两端所加电压低
于标称额定电 值时, 敏电阻器的电阻值接近无穷大,内部几乎无电流流过;当两端所加电
略高于标称额定电压值时, 敏电阻器将迅速击穿导通,并由高阻状态变为低阻状态,工作电流
也急剧增大;当两端所加电 低于标称额定电压值时,压敏电阻器又恢复为高阻状态;当两端所
加电压超过最大 制电压值时,压敏电阻器将完全击穿损坏,无法再自行恢复。
作用与应用——广泛应用于家用电器及其它电子产品中,起过电 保护、防雷、抑制浪涌电流、
吸收尖峰脉冲、限幅、高 灭弧、消噪、保护半导体元器件等。
压敏电阻器的种类:
1) 按结构分类:
● 结型压敏电阻器——因电阻体与金属电极之间的特殊接触,才具有了非线性特性。
● 体型压敏电阻器——因电阻体本身的半导体性质,才具有了非线性特性。
● 单颗粒层压敏电阻器
● 薄膜压敏电阻器
2 )按使用材料分类:
● 氧化锌压敏电阻器
● 碳化硅压敏电阻器
● 金属氧化物压敏电阻器
● 锗 (硅)压敏电阻器
● 钛酸钡压敏电阻器
3 )按伏安特性分类:
● 对称型压敏电阻器(无极性)
● 非对称型压敏电阻器(有极性)
⑦ 压敏电阻器的主要参数:除标称阻值、额定功率和允许偏差等 本指标外,还有如下指标:
1 )标称电 (V) :指通过1mA 直流电流时压敏电阻器两端的电压值。
2 )电 比:指压敏电阻器的电流为 1mA 时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA 时产
生的电压值之比。
3 )最大 制电 (V) :指压敏电阻器两端所能承受的最高电压值。
4 )残 比:通过压敏电阻器的电流为某一值时,在它两端所产生的电压称为这一电流值的残
压。残 比则是残压与标称电 之比。
5 )通流容量(kA) :通流容量也称通流量,是指在规定的条件 (规定的时间间隔和次数,施加
标准的冲击电流)下,允许通过压敏电阻器上的最大脉冲 (峰值)电流值。
6 )漏电流(mA) :漏电流也称等待电流,是指压敏电阻器在规定的温度和最大直流电 下,流
过压敏电阻器电流。
7 )电 温度系数:指在规定的温度范围 (温度为20 ℃~70℃)内,压敏电阻器标称电 的变
化率,即在通过压敏电阻器的电流保持恒定时,温度改变1℃时,压敏电阻器两端电压的相对变化。
8 )电流温度系数:指在压敏电阻器的两端电 保持恒定时,温度改变 1℃时,流过压敏电阻
器电流的相对变化。
9 )电压非线性系数:指压敏电阻器在给定的外加电压作用下,其静态电阻值与动态电阻值之
比。
10)绝缘电阻:指压敏电阻器的引出线(引脚)与电阻体绝缘表面之间的电阻值。
11)静态电容量 (PF ):指压敏电阻器本身固有的电容容量
1. 压敏电阻
ZnO 压敏电阻实际上是一种伏安特性呈非线性的敏感元件,在正常电 条件下,这相当于一只
小电容器,而当电路出现过电压时,它的内阻急剧下降并迅速导通,其工作电流增加几个数量级,
从而有效地保护了电路中的其它元器件不致过压而损坏,它的伏安特性是对称的,如图(1)a 所示。
这种元件是利用陶瓷工艺制成的,它的内部微观结构如图(1)b 所示。微观结构中包括氧化锌晶粒
以及晶粒周围的晶界层。
氧化锌晶粒的电阻率很低,而晶界层的电阻率却很高,相接触的两个晶粒之间形成了一个相
当于齐纳二极管的势垒,这就是一压敏电阻单元,每个单元击穿电压大约为3.5V,如果将许 的
这种单元加以串联和并联就构成了 敏电阻的 体。串联的单元越 ,其击穿电 就超高, 片
的横截面积越大,其通流容量也越大。压敏电阻在工作时,每个压敏电阻单元都在承受浪涌电能
量,而不象齐纳二极管那样只是结区承受电功率,因此压敏电阻比齐纳二极管能承受大得 的电
能量。压敏电阻在电路中通常并接在被保护电器的输入端,如图(2)所示。
压敏电阻的Zv 的阻值可以从正常时的兆欧级降到几欧,甚至小于1Ω。图(3)所示特性曲线可
以说明其保护原理。直线段是总阻抗 Zs,曲线是压敏电阻的特性曲线,两者相交于点 Q,即保护
工作点,对应的 制电压为V,它是使用了 敏电阻后加在用电器上的工作电压。从保护效果来看,
Zs 越大,其保护效果就越好,若 Zs=0,即电路阻抗为零,压敏电阻就不起保护作用了。图(4)所
描述的曲线可以
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