侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究.PDFVIP

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2017-06-18 发布于天津
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侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究

第卷第期（）．５４Ｎｏ．３５４　３厦门大学学报自然科学版Ｖｏｌ　年月（）２０１５５１５Ｍａ２０　　ＪｏｕｙｒｎａｌｏｆＸｉａｍｅｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ　　　　　ｙ：／ｏｉ１４７ｄ０．６０４３．ｉｓｓｎ．０４３８０９．２０１５．０３．０１７ｊ－侧壁粗化提高ＧａＮ基发光二极管出光效率的研究１１２１１１１＊，，，，，，李晓莹朱丽虹邓彪张玲刘维翠曾凡明刘宝林　　（，；，）厦门大学物理与机电工程学院福建厦门晶能光电有限公司江西南昌１．３６１００５２．３３００２９摘要：（）采用工艺成熟且成本低廉的芯片技术实现侧壁粗化以提高ＧａＮ基发光二极管ＬＥＤ的出光效率是备受关注的研究课（），效提题通过普通光刻技术和感应耦合等离子体刻蚀技术在器件内部引入侧壁粗化结构有高了芯．ＩＣＰＬＥＤ，片的出光效率由于侧壁几何微元结构的改变光线到达该界面位置处的全反射作用得到抑制而使芯片的出光总量增．，，加结果表明注入电流为时具有三角状侧壁粗化结构的芯片比传统芯片的输出光功率增加．３