应用Monte Carlo 方法对GaN 基微型核电池的研究Study of GaN ....PDFVIP

2013 32 7 (Transducer and Microsystem Technologies) 年第 卷第 期 传感器与微系统 11 * 应用Monte Carlo 方法对GaN 基微型核电池的研究 1，2 1，2 1，2 ， ， 笪 凯 戴昌鸿 郭 航 (1． ， 361005 ; 厦门大学物理与机电工程学院 福建厦门 2 ． ， 361005) 厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院 福建厦门 : Monte Carlo ， 。 ， 摘 要 应用 方法 建立了电子入射到半导体材料中的路径模型 基于此模型进行仿真 可 — 。 Ni 63 GaN PN 以得到电子在半导体材料中的穿透深度和能量分布 对以同位素 为放射源的 基 结微型核 Monte Carlo ， GaN ， GaN 电池进行 分析 得出入射电子在 中的穿透路径和能量分布 以确定入射电子在 中能 ， GaN PN ， 量最集中的位置 将 基 结的结深设置在该位置可以大幅提高收集效率 进而提高输出功率与能量 — 。 ， 1000 ，450 nm ， Ni 63 GaN ， 转换效率 实验中 分别制备了结深为 放射源为 的 基微型核电池 测试结果验证 450 nm ， 1． 47 % ， 了经优化结深为