第三篇-存储器.pptVIP

第三章 存储器 存储器的分类 随机存取存储器 只读存储器 半导体存储器与CPU的连接 外存储器（自学） 第一节 存储器的分类 除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储器 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法 第一节 存储器的分类（续） 一、RAM分类 二、ROM分类 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 三、半导体存储器芯片的结构 ① 存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量 ＝2M×N ＝存储单元数×存储单元的位数 M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 ② 地址译码电路 ③ 片选和读写控制逻辑 片选端CS或CE 有效时，可以对该芯片进行读写操作 输出OE 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 第二节 随机存取存储器 静态RAM SRAM 2114 SRAM 6264 一、静态随机存取存储器SRAM SRAM的基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 SRAM一般采用“字结构”存储矩阵： 每个存储单元存放多位（4、8、16等） 每个存储单元具有一个地址 SRAM芯片2114 存储容量为1024×4 18个引脚： 10根地址线A9～A0 4根数据线I/O4～I/O1 片选CS 读写WE SRAM芯片6264 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CE 读写WE、OE 思考题 下列SRAM芯片需多少地址输入端?多少数据输入端? (1)512X 4位 (2)1K×8位 (3)2K×1位 (4)64K×1位 (5)2K×4位 (6)4K×1位 (7)16K×1位 (8)256K×1位 (9)512K×4位 (10)16KB (11)64KB 二、动态随机存取存储器DRAM DRAM的基本存储单元是单个场效应管及其极间电容 必须配备“读出再生放大电路”进行刷新 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 DRAM一般采用“位结构”存储体： 每个存储单元存放一位 需要8个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址 DRAM芯片2116 存储容量为16K×1 16个引脚： 7根地址线A6～A0 1根数据输入线DIN 1根数据输出线DOUT 行地址选通RAS 列地址选通CAS 读写控制WE DRAM芯片2116（续） 存储地址需要分两批传送 行地址选通信号RAS有效，开始传送行地址 随后，列地址选通信号CAS有效，传送列地址，CAS相当于片选信号 读写信号WE读有效 数据从DOUT引脚输出或输入 DRAM芯片2164 存储容量为64K×1 16个引脚： 8根地址线A7～A0 1根数据输入线DIN 1根数据输出线DOUT 行地址选通RAS 列地址选通CAS 读写控制WE 第三节 只读存储器 EPROM EPROM 2716 EPROM 2764 EPROM 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息 一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程 编程后，应该贴上不透光封条 EPROM芯片2716 存储容量为2K×8 24个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线DO7～DO0 片选/编程CE/PGM 读写OE 编程电压VPP EPROM芯片2764 存储容量为8K×8 28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CE 编程PGM 读写OE 编程电压VPP 思考题 思考题 思考题 思考题 思考题 思考题 思考题 第四节 半导体存储器与CPU的连接 这是本章的重点内容 SRAM、EPROM与CPU的连接 译码方法同样适合I/O端口 一、存储芯片与CPU的连接 存储芯片的数据线 存储芯片的地址线 存储芯片的片选端 存储芯片的读写控制线 1.存储芯片数据线的处理 若芯片的数据线正好8根： 一次可从芯片中访问到8位数据 全部数据线与系统的8位数据总线相连 若芯片的数据线不足8根： 一次不能从一个芯片中访问到8位数据 利用多个芯片扩充数据位 这个扩