第5章集成电路元器件及其SPICE模型试卷.pptVIP

3）LEVEL＝3 即MOS3模型。MOS3模型是一个半经验模型， 适用于短沟道器件。MOS3模型中的阈值电压、 饱和电流、沟道调制效应和漏源电流表达式等都 是半经验公式，其模型参数大多与MOS2模型相 同，但引入了三个新的模型参数：模拟静电反馈 效应的经验模型参数η（EAT）、迁移率调制系 数θ（THETA）和饱和电场系数κ(KAPPA）。 4）LEVEL＝4 级别为4的MOS4模型又称BSIM（Berkeley short-channel IGFET model）模型。该模型 是由美国伯克利大学1984年专门为短沟道MOS 场效应晶体管而开发的模型，是ATT Bell实验 室简练短沟道IGFET模型的改进型。模型是在 物理基础上建立的，模型参数由工艺文件经模 型参数提取程序自动产生，适用于数字电路和 模拟电路，而且运行时间比二级模型平均缩短 一半左右。现已发表的有BSIM1、BSIM2、 BSIM3和BSIM4等模型。 二、MOS1模型 MOS1模型包括了漏区和源区的串联电阻rD和rS，两个衬底PN结和结电容CBS、CBD，反映电荷存储效应的三个非线性电容CGB、CGS和CGD以及受控电流源IDS。 1）电流方程 线性区： 饱和区： 本征跨导参数 2）两个衬底PN结 当VBS0时 当VBS0时 当VBD0时 当VBD0时 3）PN结电容 两个PN结电容CBS和CBD由底部势垒电容和侧壁势垒电容两部分组成。 4）栅电容 三个非线性栅电容CGB，CGS，CGD由随偏压变化和不随偏压变化的两部分构成。 其中不随偏压变化的部分是栅极与源区、漏区的交叠氧化层电容以及栅与衬底间的交叠氧化层电容（在场氧化层上） 。 随偏压而变的栅电容是栅氧化层电容与空间电荷区电容相串联的部分。 不同工作区的栅电容 5）串联电阻的影响 漏区和源区串联电阻的存在使加在漏源区的有效电压会小于加在外部端口处的电压，会影响MOS管的电学特性。MOS1模型中引入了电阻rD和rS分别表示漏区和源区的串联电阻，其值可以在模型语句.MODEL中给定，也可通过MOS管的NRD和NRS来确定 。 目前绝大多数IC foundry都采用BSIM模型来描述其加工的器件的性能。BSIM模型一般通过自动化的参数提取和模型生成软件来完成的， 其中，BSIM1 SPICE模型适用于沟道长度小于1um的MOS晶体管，对于沟道长度更短的MOS管则需要使用BSIM2或BSIM3模型。 从建模机理上来讲，BSIM1和BSIM2集中于解决模型的精度并考虑公式的简单化，因而引入了大量的经验参数或拟合参数以提高精度。实际使用上由于模型参数过多且存在冗余，因此用起来比较麻烦。 三、短沟道MOS管的BSIM SPICE模型 BSIM3是基于准二维分析的物理模型，着重探讨和解决涉及器件工作的物理机制，并考虑了器件尺寸和工艺参数的影响，力求使每个模型参数与器件特性的关系可以预测。BSIM3大约有120个参数，每一个都有其物理意义。在整个工作区域内，漏电流及其一阶导数都是连续的，这对解决电路仿真中的收敛问题很有帮助。在Hspice或SmartSpice仿真软件中，BSIM3模型的V3.1版本对应于Level 49，模型中考虑的主要效应包括以下几个方面。 （1）短沟和窄沟对阈值电压的影响； （2）横向和纵向的非均匀掺杂； （3）垂直场引起的载流子迁移率下降 （4）体效应； （5）载流子速度饱和效应； （6）漏感应引起位垒下降； （7）沟道长度调制效应； （8）衬底电流引起的体效应， （9）次开启导电问题； （10）漏／源寄生电阻。 MOSFET49级模型(Level=49, BSIM3V3) 共有166(174)个参数! 67个DC 参数 13个AC 和电容参数 2个NQS模型参数 10个温度参数 11个W和L参数 4个边界参数 4个工艺参数 8个噪声模型参数 47二极管, 耗尽层电容和电阻参数 8个平滑函数参数(在3.0版本中) * 飞利浦MOSFET模型(Level=50) 共有72个模型参数. 最适合于对模拟电路进行模拟. 不同MOSFET模型应用场合 Level 1 简单MOSFET模型 Level 2 2?m 器件模拟分析 Level 3 0.9?m 器件数字分析 BSIM 1 0.8?m 器件数字分析 BSIM 2 0.3?m 器件模拟与数字分析 BSIM 3 0.5?m 器件模拟分析与0.1?m 器件数字分析 Level=6 亚微米离子注入器件 Level=50 小尺寸器件模拟电路分析 Level=11 SOI器件 对电路设计工程师来说, 采用什么模型参数在很大程度上还取决于能从相应的工艺制造单位得到何种模型参