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第一节 什么叫FLASH Flash Memory中文名字叫闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器。 Flash分为两种规格：NOR Flash和NAND Flash。 FLASH的分类： NOR FLASH和NAND FLASH NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。 NOR类似于DRAM， 以存储程序代码为主，可以让微处理器直接读取。因为读取速度较快，但晶片容量较低，所以多应用在通讯产品中，如手机。 1989年，东芝公司发表了NAND flash技术，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。因为NAND flash的晶片容量相对于NOR大，更像硬盘，写入与清除资料的速度远快于NOR，所以当时多应用在小型机以储存资料为主。目前已广泛应用在各种存储设备上， 可存储代码和资料。 NOR FLASH和NAND FLASH的区别 NOR的读速度比NAND稍快一些。 NAND的写入速度比NOR快很多。 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少 NAND Flash Types NAND Flash三种类型应用 NAND Flash分为SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Triple-Level Cell)等三种。 早期NAND Flash应用以SLC(Single-Level Cell)技术为主，即1bit/cell，读写速度快，寿命长，约10万次读写寿命。 SLC芯片虽然质量好，但成本价格都较高，价格是MLC三倍以上，因此应用范围不广泛。 MLC=Multi-Level Cell， 即2bit/cell ，速度一般，寿命一般，价格一般，3000-10000次读写寿命。 MLC芯片推出后，MLC芯片读写次数和效能上远不如SLC芯片，但随着效能大幅改善后，MLC芯片逐渐成为NAND Flash产业主流。现在MLC芯片性价比提升，也逐渐导入许多应用领域包括军规、航空、车用、云端运算用服务器、工业用等，还包括笔记本电脑(NB)等如Ultrabook市场。 NAND Flash三种类型应用（续） TLC=Triple-Level Cell，即3bit/cell，速度慢，寿命短，价格便宜，约500次读写寿命，技术在逐渐成长中。而TLC芯片则是当中质量最低的，不过成本也便宜，主要是用于对速度要求不高的快闪记忆卡和随身碟等产品上，目前TLC芯片还不能用在中高阶或是特殊领域产品上。 NAND Flash的存储单元从最初的SLC（ Single Layer Cell）， 到2003年开始兴起MLC （Multi-Layer Cell）， 发展至今，SLC已经淡出主流市场，主流存储单元正在从MLC向TLC（Triple Layer Cell）迈进。纳米制程工艺和存储单元的发展，使得同样大小的芯片有更高密度和更多的存储单元，Flash得以在容量迅速增加的同时，还大幅降低了单位存储容量的成本。 什么是eMMC eMMC全称Embedded MultiMedia Card，是MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要应用于智能手机和移动嵌入式产品等。 eMMC是一种嵌入式非易失性存储器系统，由闪存和闪存控制器两部组成，它的明显优势是在封装中集成了一个闪存控制器，它采用JEDEC标准BGA封装，并采用统一闪存接口管理闪存。 NAND接口 eMMC接口 eMMC特点（1） eMMC结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器——所有在一个小型的BGA 封装。同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v。接口速度高达每秒50MB甚至100MB以上。由于采用标准封装，eMMC也很容易升级，并不用改变硬件结构。 eMMC （ Embedded Multi Media Card） 采用统一的MMC标准接口， 把高密度NAND Flash以及MMC Controller封装在一颗BGA芯片中。针对Flash的特性，产品内部已经包含了Flash管理技术，包括错误探测和纠正，flash平均擦写，坏块管理，掉电保护等技术。用户无需担心产品内部flash晶圆制程和工艺的变化。同时eMMC单颗芯片为主板内部节省更多的空间。 eMMC的特点（2） eMMC的这种将NAND Flash芯片和控制芯片包在1颗MCP上的设计概念，就是为了简化产品内存储器的使用。客户只需要采购eMM