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flash闪存封装
闪存封装
闪存的封装方式
NAND flash市场和应用
预计全球NAND闪存市场今年增长率将达8%
智能手机:2011年为31亿GB。预计2012年的智能手机销量将达到6.26亿部,平均每部手机使用的NAND闪存容量为9GB,总容量将达到57亿GB。2016年平均每部手机使用的NAND闪存容量将增加到18.9GB
NAND flash市场和应用
今年NAND行业——超级本电脑。NAND厂商一直在极力宣传在超级本中使用固态硬盘。
由于超级本电脑重量轻、电池续航时间长和启动速度快,因此对企业用户和消费者用户都有很大的吸引力。这将推动NAND产品在PC领域的消费量占其总消费量比例上升到15%以上。
闪存封装的发展现状
面对如此巨大的市场,国外发达国家正积极利用NAND发展的有利时机大力发展NAND芯片封装技术,在这方面,日本,韩国,美国正领导着最先进NAND封装技术的发展。其代表企业有日本东芝公司(Toshiba),韩国三星(Samsung)公司和美国英特尔(Intel)公司。东芝,三星等公司都在实验室中开发出了多达16die的NAND芯片封装技术,代表着最新的NAND封装工艺。
闪迪半导体(Sandisk),日月光半导体(ASE),安靠科技(Amkor),矽品(SPIL),星科金朋(STATSChipPAC)等国际封装公司也全部落户中国,这些先进国家或地区的封装公司带来了先进的技术与理念,为国内半导体封装业培养了一大批人才;同时国内本上企业也正在努力追赶国际先进技术,如南通富士通,江阴长电等。
闪存封装方式
发展趋势
发展历程
缩小体积
低成本
TSOP封装
TSOP (Thin Small Outline Package 薄型小尺寸封装)在芯片的周围做出引脚,采用SMT技术(表面贴装技术)直接附着在PCB板的表面。
TSOP最早被应用在制造笔记型计算机所用的名片大小模块上。到了上个世纪80年代,TSOP出现,得到了业界广泛的认可,时至今日仍旧是闪存封装的主流技术之一。
TSOP封装优点
TSOP生产工艺
单芯片TSOP生产工艺流程比较简单,只需要经过一次贴片、一次烘烤、一次引线键合就可以了,流程如图所示:
FBGA封装
FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)细间距球栅阵列封装。
主要应用于计算机的内存、主机板芯片组等大规模集成电路的封装领域,FBGA封装技术的特点在于虽然导线数增多,但导线间距并不小,因而提升了组装良率,虽然功率增加,但FBGA能够大幅改善电热性能,使重量减少,信号传输顺利,提升了可靠性。
FBGA的优点
COB封装
COB(Chip on board)工艺,是指厂商为节省成本,没有采用标准的闪存芯片+控制芯片独立封装的形式,而是将闪存芯片和控制器芯片直接连接,封装在一体,并固定于印刷线路板上的生产方式。
COB封装优点
COB封装工艺流程
PIPTM(prodoct in package)专利技术
PIPTM小型存储卡一体化封装技术,由COB封装发展而来,是胜创公司研发的(kingmax)专利技术。
该技术整合了PCB基板组装及半导体封装制作流程,将小型存储卡的控制器、闪存集成电路、基础材质、无源计算组件直接封装。
可以将存储卡进行单面或双面封装,但封装的结构是一样的,同时应用闪存芯片堆叠封装技术。
优点:使数码存储卡达到完全防水、耐高温、耐高压、读写速度快的效果,使数据存储更安全可靠。
MCP封装(3D)
为了达到更高的容量,现在的NAND闪存芯片通常都会采用MCP(多芯片封装)形式,将多颗die整合在一起。封装体内部采用芯片堆叠和引线键合工艺。
该技术已经广泛应用在手机,MP3内存,固态硬盘SSD等嵌入式NAND闪存产品中。
不过工艺和技术所限,一般每颗闪存内只有两个或四个die,八个的都极其罕见。如果使用传统MCP封装技术,超过四个NAND die的堆叠就会严重影响性能,并且需要两个或更多通道才能获得类似的吞吐带宽。
MCP封装优点
实例1
加拿大公司MOSAID Technologies与2012年4月6日宣布,他们已经试产了全球第一颗采用惊人十六die封装的NAND闪存芯片,让他们和谐地运行在了一个高性能通道内。
这颗闪存采用了MOSAID独家的HLNAND MCP技术,利用两个HyperLink NAND接口将多达16颗业界标准的4GB NAND Flash die放到了一起,总容量达到了64GB。
该闪存的封装格式为100-ball BGA,长宽尺寸仅18×14毫米。
“指甲盖的战争”
实例2
COB封装的microSD卡简单内部构造图。
金线是各元件之间的连接线,中央的PCB板上是晶元Chip堆叠区域,一般来说卡的容量取决于这个地区的晶元Chip堆叠。这又取决于
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