第一章核电子学系统中的信号及噪声.ppt

（一）气体探测器 气体中离子与电子的运动规律 气体的电离与激发 入射带电粒子与靶原子的核外电子通过库仑作用，使电子获得能量而引起原子的电离或激发。 入射粒子直接产生的离子对称为原电离。初电离产生的高速电子足以使气体产生的电离称为次电离。 总电离 =原电离+ 次电离 平均电离能w：带电粒子在气体中产生一电子离子对所需的平均能量。 对不同的气体，w大约为30eV。 平板型电离室 圆柱型电离室 正比计数器（Proportional Counters） 正比计数器中，利用碰撞电离将入射粒子直接产生的电离效应放大了，使得正比计数器的输出信号幅度比脉冲电离室显著增大。 对直接电离效应放大的倍数称为“气体放大倍数”，以A表示，在一定的工作条件下，A保持为常数。 正比计数器属于非自持放电的气体电离探测器。 G-M计数管 G-M计数管是由盖革(Geiger)和弥勒(Mueller)发明的一种利用自持放电的气体电离探测器。 G-M管的特点是： 制造简单、价格便宜、使用方便。灵敏度高、输出电荷量大。 G-M管的缺点是： 死时间长，仅能用于计数。 G-M计数管 G-M计数管的典型结构及性能 G-M管主要有圆柱型和钟罩型两种。 圆柱型主要用于?射线测量，而钟罩型由于有入射窗，主要用于?，?射线的测量。 半导体探测器 半导体探测器的基本原理是入射粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。 我们把气体探测器中的电子－离子对、闪烁探测器中被打拿极收集的电子 及半导体探测器中的电子－空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流子的平均能量分别为30eV(气体探测器)，300eV(闪烁探测器)和3eV(半导体探测器)。 半导体探测器的特点： (1) 能量分辨率最佳； (2) ?射线探测效率较高，可与闪烁探测器相比。 常用半导体探测器有： (1) P-N结型半导体探测器； (2) 锂漂移型半导体探测器； (3) 高纯锗半导体探测器。 半导体的基本性质 半导体作为探测介质的物理性能 1)平均电离能 入射粒子在半导体介质中平均产生一对电子空穴需要的能量。 2)载流子的漂移 由于电子迁移率?n 和 空穴迁移率?p 相近，与气体探测器不同，不存在电子型或空穴型半导体探测器。 P-N结半导体探测器 P-N结半导体探测器的类型 1) 扩散结(Diffused Junction)型探测器 采用扩散工艺——高温扩散或离子注入；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。 2) 金硅面垒(Surface Barrier)探测器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100?g/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。 P-N结半导体探测器 P-N结半导体探测器的输出电路 高纯锗半导体探测器 采用高纯度的P型Ge单晶，一端表面通过蒸发扩散或加速器离子注入施主杂质(如磷或锂)形成N区 和 N+，并形成P-N结。另一端蒸金属形成P+，并作为入射窗。两端引出电极。 HPGe半导体探测器的应用 HPGe和Ge(Li)用于组成?谱仪：锗具有较高的密度和较高的原子序数(Z=32)。 ?谱仪的应用：活化分析；X射线荧光分析；核物理研究等。 Si(Li)探测器： 由于Si的Z＝14，对一般能量的?射线，其光电截面仅为锗的1/50，因此，其主要应用为： 低能量的?射线和X射线测量，在可得到较高的光电截面的同时，Si的X射线逃逸将明显低于锗的X射线逃逸；对?粒子或其他外部入射的电子的探测，由于其原子序数较低，可减少反散射。 总结 一、气体探测器 （原理、工作机制、脉冲电离室、正比计数器、G-M计数管） 二、半导体探测器 （原理、半导体性质、P-N结半导体探测器、高纯锗半导体探测器） 三、闪烁体探测器 （原理、闪烁体、光电倍增管、单晶闪烁谱仪） 核辐射探测器可以看成为一个电流信号源 i(t)，在作时间测量时，由于要求保持时间信息，可以直接利用这种电流源的时间特性。在作能谱分析时，因为与能量成正比的量是探测器收集的电荷或电荷在电容上的积分电压，所以要求探测器输出电荷或电压信号。如果既要作时间测量，又要作能量测量，则应要求探测器既输出电流信号又输出电荷信号。 噪声对核测量的影响 当实际获取核辐射探测器输出的能量或时间信息时，不可避免会遇到探测器和核电子学本身所固有