高密度可见光LED生产测试.pdfVIP

第2218号 吉时利应用笔记系列 高密度、可见光LED的生产测试 引言 I 可见光二极管（LED）凭借其长寿命和高可靠性的特 点，正获得越来越广泛的应用。LED目前已经用在了汽车、 街灯、户外标识等方面。此外，随着新的颜色和新的关键 V 测试 F 应用的开发，采用高性价比的测试方法以确保LED可靠性的 需求不断增大。随着高亮度和有机LED技术的出现，对测试 设备的测量性能与产能的要求也越来越高。 V I 测试 LED发光是带电粒子在半导体能隙之间跃迁的结果。 L 能隙的大小决定了发光的波长。LED的发展已经产生了表面 VR 测试 和边缘发光技术，改变波长和功率特性等性能指标。 本文介绍了有关构建用于检验单个和多个（阵列） LED器件的生产测试系统解决方案的方法和问题。 测试介绍 图1. 典型的LED直流I-V曲线和测试点（不用于缩放） 高性能LED通常要进行5种测试。其中包括直流频谱 上的三种测试（正向电压、反向击穿和漏电流测试）以及 压时，LED中泄漏的小电流。测试时加载特定的反向电压， 光谱上的两种测试（光照强度和波长检验）。在生产环境 经过一定的时间后测量流过LED的相应电流。测试过程要检 下，通常只有直流测试涉及测试产能的问题。光学测试虽 验测得的漏电流是否低于一定的阈值。这些电流的测量结 然很有用，但是通常较慢，一般保留用于工程或质量控制 果通常在纳安到毫安的量级。 实验。下面详细介绍各种测试和测试需求。 直流测试 光学测试 图1给出了本文介绍的三种直流测试的测试点。 光强和辐射强度测试 正向电压测试（V ） F 发光（即光照）强度的大小通常用流明/球面度或坎 VF测试检验可见光LED的正向工作电压。超过这一工 德拉来表示。它的大小范围通常从毫坎德拉到几个坎德拉 作电压，电路电流的大幅增长将导致正向电压明显升高， 的量级。我们可以利用这个参数来计算辐射强度，以瓦特/ 如图1所示。在一段特定的时间内（例如1ms）在LED上加载 球面度来表示。辐射强度测量的是LED的总输出（功率）， 特定的正向偏置电流（例如10mA），测量LED两端的电压 而发光强度测量的是可见光范围内的输出（功率）。辐射 降。测量的结果通常为几百毫伏的量级。 强度的大小范围从略小于1μW/sr到几十mW/sr不等。用总 反向击穿电压测试（V ） 发光输出（流明/瓦）除以输入功率可以计算出发光效率。 R VR测试检验LED的反向击穿电压，与二极管类似。当 光照强度通常采用光电探测器（PD）进行测量。流过 电压高于这一电压时，反偏电流的大幅增加使反向电压变 PD的反向漏电流大小与照射在它上面的光强度成正比。因 化不大。这一参数的技术指标通常是一个最小值。测试时 此，如果用LED照射PD同时测量PD上相应的漏电流，就可以 在一段特定时间内提供一个较低的反偏电流，同时测量LED 推算出光照强度。采用这种方法测量光照强度时，只需使