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第一章 计算施主浓度分别为、、的硅在时的费米能级（以本征费米能级作为参考能级），对掺杂浓度相同的受主杂质进行同样的计算。 解：对施主浓度分别为、、的硅在时的费米能级为 对掺杂浓度相同的受主费米能级为 计算施主掺杂浓度及受主掺杂浓度的硅在室温下的电子浓度和空穴浓度以及费米能级的位置。 解：由已知条件，可以判断，该半导体为P型半导体。 其空穴浓度，即多子浓度为 其电子浓度，即少子浓度为 其费米能级的位置为 设电子和空穴的迁移率分别为和，试计算本征硅在下的电导率。当掺入百万分之一的砷后，设杂质全部电离，计算其电导率，并将其与本征硅的电导率进行比较。 解：本征硅的电导率为 已知硅的原子密度是，掺入百万分之一的砷后，该半导体为N型半导体，施主杂质浓度为 电子浓度为，忽略少子浓度，电导率为 某样品的电阻率为试计算室温下的多数载流子浓度和少数载流子浓度。（利用图1.4.8） 解：在样品中，空穴是多子，电子是少子，设多子浓度为，少子浓度为。利用图1.4.8可以由查得多子浓度。 少数载流子浓度为 1.11施主浓度的N-Si中，光注入非平衡载流子浓度，计算无光照和有光照时的电导率。已知、。 解：无光照时 有光照时 1.13 一块电阻率为的样品，空穴的寿命为，在其平面型的表面处有稳定的空穴注入，过剩空穴浓度为，计算从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度。在离表面多远处过剩空穴浓度衰减到。 解：如图1.6所示：半导体表面注入的少数载流子为空穴，其浓度为，而在体内的热平衡少数载流子浓度为Pno，它们之间存在着一个浓度差值。在浓度梯度的驱使下，由表面注入的空穴从表面向着半导体内部作扩散运动，它们一边扩散，一边复合，其浓度分布曲线从表面到体内作指数衰减。在距离表面一个扩散长度的距离以后，少数载流子浓度应该与体内的热平衡少数载流子浓度Pno基本上一致。 　　对于N型半导体来说，在热平衡条件下，其多数载流子浓度应该就等于该半导体中所掺杂质的浓度，于是可以得到 表面空穴注入形成的电流密度为 由公式可以得出 即在离表面处过剩空穴浓度衰减到。 第二章 2.4 PN结两边杂质浓度和宽度均相等，且两边宽度小于相应的少子扩散长度，试证明正向空穴电流和电子电流之比为，如果两边宽度均大于相应的扩散长度，结果如何？ 证明：如果PN结两边宽度大于少子扩散长度，当PN结正向偏置时，通过PN结两侧注入的少数载流子一边扩散，一边复合，在一个少子扩散长度范围内因复合消失而形成扩散电流，这也就是PN结的正向电流。根据肖克莱方程，当PN结正向偏压为V时，PN结正向空穴电流和电子电流分别为 和 利用公式、以及已知条件，空穴电流和电子电流之比为 当PN结两边宽度小于相应的少子扩散长度时，从PN结边界注入的少数载流子向两边作扩散运动，在到达欧姆接触电极处时遇到了电子或空穴的势阱，所以在电极欧姆接触处少子的浓度应该趋近于零。设两边宽度均为W，则电子和空穴的浓度梯度分别近似为和，于是电子电流和空穴电流分别为 和 同样利用公式、和已知条件，则有 2.5 硅PN结N区电阻率、，P区电阻率、 ，计算300K时反向饱和电流密度、空穴电流与电子电流之比以及正向0.3V和0.7V时流过PN结的电流密度。 解：由图1.4.8查得时，； 时，， 再由附录B查得室温下N区空穴的迁移率；P区电子的迁移率 由此可得 利用上式的中间结果，空穴电流与电子电流之比为 正偏时流过PN结的电流密度为 正偏时流过PN结的电流密度为 2.7硅、锗PN结各一，掺杂浓度均为、，N区的寿命，且，300K下N型锗中， N型硅中，求外加偏压为时，反向饱和电流和势垒区产生电流各为多少？从中可以得出什么结论？ 解：根据题目给出的PN结掺杂浓度（ND与NA相差3个数量级）可以近似认为该PN结是单边突变结。对于硅PN结，，，室温下的扩散电势为 耗尽层宽度近似为 势垒区产生电流为 反向饱和电流为 比较上述结果可知：硅PN结的反向电流中产生电流远大于反向饱和电流，二者相差3个数量级。 对锗PN结，、 作类似的计算可得 势垒区产生电流为 反向饱和电流为 比较上述结果可知：硅PN结反向电流以产生电流为主，而锗PN结反向电流却以反向饱和电流为主。这是由于两种材料的禁带宽度不同，本征载流子浓度的差异所引起的。 2.10 理想硅结，，在正偏压下，求N型中性区内存储的少数载流子总量。设该结面积为，N型中性区长度为，空穴扩散长度为5。 解：由题目给出的已知条件可知：N区宽度，空穴扩散长度，因为，所以N区少子呈三角形分布。 当正向偏压等于1V，N区掺杂浓度时，室温下N区PN结边界处少子浓度可以计算为 当结面积为时，N区存储的少数载流子总量可以计算为： 2.12把一个结硅二极管作变容二极管用，结两侧掺杂浓度分别为、、二极管面积。①求在及5